长鑫存储计划于2026年第四季度下旬量产HBM3E内存芯片，尽管报道称其良率极低。

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**核心内容:**

- **动机:** 中国大陆的存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)推进HBM3E生产,主要目的是缓解国内AI加速器厂商因美国出口限制而面临的严重内存短缺,而不是追求成本效益。

- **进展:** 两个月前,CXMT刚进入HBM3E风险试产阶段。据知情人士向路透社透露,其最早可能在今年年底进入量产。

- **良率:** CXMT的HBM3E良率据报道约为20%至30%,而SK海力士同一技术的良率约为70%。低良率意味着大部分成品被报废或返工,单位成本大幅上升。

- **市场影响:** 受外部供应受限和灰色渠道高价影响,中国AI加速器厂商已将现有及下一代芯片涨价20%至50%。国产HBM3E提供了一条不受制裁影响的供应渠道。

- **性能:** 已有部分中国AI芯片设计公司拿到两种版本的样品。初步测试显示,其性能更接近SK海力士上一代HBM3,而非当前的HBM3E产品。原因可能是先进制造和封装设备受限,例如高密度硅通孔(TSV)及精密垂直堆叠工艺,导致信号完整性和散热仍是主要难题。

- **总体判断:** 中国AI硬件生态当前优先考虑功能性自主,而非制造经济性,即便技术上仍落后全球前沿整整一代。

如果需要,我可以就其中某一部分做更详细的说明,或帮你整理成适合发布的中文导语。