SK海力士和SanDisk联合发布HBF（高带宽闪存）行业标准，获Google和Tenstorrent支持。OCP技术规范已发布，定义标准化高带宽闪存架构。

SK海力士和闪迪公布了高带宽NAND闪存（HBF）的首个标准规范，这是为AI加速器设计的下一代存储技术。该公告在世界最大的内存技术会议FMS 2026上宣布，会议于8月4日在加州圣克拉拉会议中心举行。

HBF相比高带宽存储器（HBM）代表了一种根本不同的AI内存架构方法。HBM是基于DRAM的，在AI芯片附近运作如同"工作台"用于快速数据传输，而HBF是基于NAND闪存的解决方案，在处理器旁边发挥如同"大型存储柜"的作用。由于NAND闪存可以在相同物理空间内存储远超DRAM的数据量，HBF能够实现与图形处理器（GPU）的更快数据交换，同时应对由于AI推理工作负载快速扩展而产生的带宽和容量可扩展性挑战。

SK海力士于2025年8月与闪迪开始HBF标准化工作，并在2026年2月与Google和Tenstorrent共同建立了更广泛的联盟。标准规范在联盟成立仅6个月后发布，展示了公司建立HBF技术市场领先地位的战略——这是公司此前在2013年通过与AMD合作在HBM领域获得的地位。

HBF标准支持两种配置，NAND闪存芯片堆叠为8层或16层。规范支持最大存储容量为512GB，并跨三个性能层级定义带宽，范围从0.4TB/s到3.0TB/s。HBF与GPU之间的接口采用UCIe，这是一个行业标准连接协议，可实现不同处理器类型的灵活集成。

SK海力士通过开放计算项目（OCP）以开源方式发布了HBF标准，OCP是世界最大的开放数据中心技术协作组织。这种方法促进了更广泛的业界采用和标准化，特别是在NVIDIA和铠侠等竞争对手推进各自专有下一代AI加速器内存标准的背景下显得尤为重要。

在FMS 2026上，SK海力士将展示其"分层内存"架构的愿景，该架构将多种内存类型优化为统一系统，并将首次推出第10代375层4D NAND闪存晶圆和产品。SK海力士解决方案开发部门负责人金成声表示："随着AI利用的快速扩展，需要重新设计整个数据处理结构。通过HBF，我们的目标是拓展内存和存储之间的界限，并有助于实现提高整体系统效率的新架构。"