SK hynix 和 SanDisk 发布了首个高带宽闪存(HBF)存储标准，获得 Google 和 Tenstorrent 的支持，旨在解决大规模 AI 推理中的内存带宽瓶颈。

SK海力士和西部数据(SanDisk)联手推动高带宽闪存(HBF)标准化六个月后，该联盟在加州圣塔克拉拉举办的2026年内存与存储未来(FMS)大会(8月4-6日)上发布了首个HBF标准规格。该首发规格支持通过8层和16层NAND堆叠配置最高达512GB的存储容量，提供三个带宽等级(1-3级)，分别提供约0.4TB/s到3.0TB/s的带宽。

SK海力士正在加速生态系统采用，拉拢包括Google DeepMind和Tenstorrent等主要支持者。该规格通过开放计算项目(OCP)公开，采用业界标准UCIe互连，使HBF能够与各种处理器(GPU和CPU)集成。规格还定义了接口和电气特性、HBF晶粒堆叠可靠性、封装指南和软件I/O要求。

与通过堆叠DRAM晶粒来最大化带宽的HBM不同，HBF通过堆叠NAND闪存来创建一个定位于HBM和SSD之间的新内存层级。HBF作为HBM的互补技术而非竞争对手出现，有潜力解决HBM高成本和容量有限的问题。虽然NVIDIA尚未宣布采用计划，但业界情绪仍然积极。Google和Tenstorrent等领先企业所表现出的兴趣表明他们愿意探索HBF，尽管具体用例仍待确定。

长期架构预计将超高速计算用的HBM与高密度数据存储用的HBF结合，创建一个混合内存层级，定位为大规模AI商业化的关键推动力。HBF技术预计将降低总拥有成本(TCO)，同时提高AI系统的可扩展性。行业预测预计对包括HBF在内的复杂内存解决方案的需求将在2030年前后加速增长。

西部数据计划在2026年下半年推出HBF原型，日本是生产的主要候选地。试点生产预计在下半年完成，并于年底前后开始运作，商业化目标时间为2027年。

SK海力士还推出了全球首款375层第十代(V10) 4D NAND，大规模生产计划于2027年初进行。该芯片在单位瓦特性能方面实现了2.5倍的提升，直接解决了数据中心面临的最大挑战之一：功耗。随着基于375层NAND的企业SSD计划于明年年初投入生产，SK海力士将完成其所述的业界唯一全栈AI内存组合——涵盖DRAM(HBM)、中间层HBF和存储(eSSD)。