SK海力士批准投入380亿美元在两座新晶圆厂中扩展AI芯片产能。

SK海力士公司是主要的数据中心内存供应商，其董事会已批准建设两座新的晶圆厂。该项目需要投资54万亿韩元，约合383亿美元，是SK海力士更广泛4300亿美元投资计划的一部分，该计划旨在扩大SK海力士的制造产能。这一努力本身也是韩国政府支持发展本地芯片产业的数百亿美元推动计划的一部分——该计划还包括SK海力士的竞争对手三星电子公司。

新宣布的建设项目将包括一座名为龙仁Y2的250亿美元晶圆厂，这是SK海力士计划在龙仁半导体集群建造的四座芯片工厂中的第二座，该制造园区位于首尔以南约20英里处。该系列中的第一座晶圆厂预计将于2月份投产。SK海力士计划于2027年7月开始建设龙仁Y2，该设施的第一个洁净室预计将于2029年6月投入运营。建设完成后，该工厂将拥有279英亩的生产面积。

龙仁Y2将专门用于DRAM生产，特别关注HBM内存——显卡用于存储人工智能模型及其数据的高速RAM。SK海力士是全球最大的HBM生产商。HBM芯片由多层RAM堆叠而成，这种设计能够实现与附加的AI芯片之间的高速数据传输。该公司去年9月推出了其最先进的HBM设备——一款12层芯片，基于HBM4技术，其带宽比当今显卡使用的内存提高了一倍多。

第二座新晶圆厂将生产NAND闪存，并将建设在已经拥有SK海力士三座芯片工厂的园区内。根据SK海力士的说法，该地点现有的电力和水利基础设施将加快建设进度，该设施的第一个洁净室预计将于2028年12月投入运营。今年早些时候，SK海力士与合作伙伴闪迪推出了HBF，一项新的NAND闪存技术，它将NAND闪存电路按照类似于HBM的方式堆叠在一起。据两家公司称，该技术可以匹配HBM的性能，同时提供高达16倍的容量增加。

三星是SK海力士在内存市场上的主要竞争对手，也在追求垂直内存技术。周三，三星推出了两项新技术，能够将NAND和HBM内存直接堆叠在逻辑电路之上，缩短了组件之间的距离，实现了更快的数据传输。结果是提高了处理速度。三星估计其可堆叠的HBM技术将比HBM5快8倍，HBM5是预计在十年末期推出的一个即将面世的HBM版本，内存密度提高10倍。三星将为客户提供选项，通过添加定制互连组件来进一步优化该技术。