SK Hynix已在印第安纳州正式动工建设一座耗资40亿美元的先进内存制造中心，专注于高带宽内存生产。

韩国芯片制造商SK海力士于8月27日在印第安纳州西拉法叶破土动工建设一座大型半导体设施，标志着该公司在美国本土的首个制造基地落地。该项目估值超过40亿美元，将专注于为人工智能负载专门设计的下一代高带宽内存（HBM）芯片的封装。这是印第安纳州历史上规模最大的单一开发项目。

该设施位于普渡研究园区内占地133.5英亩的地块上，地基和打桩工程自2026年初以来一直在进行。破土动工仪式使数月的持续施工正式化。实际芯片封装将在洁净室中进行，预计将于2028年下半年投入运营。

SK海力士在印第安纳州并不生产原始硅晶圆。相反，该设施将接收存储芯片，并将其堆叠成AI处理器所需的密集、高性能模块。这一战略扩张利用了该公司的市场主导地位；根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在2026年第一季度以收入计占据了全球HBM市场58%的份额。

当SK海力士在2024年首次宣布印第安纳计划时，投资额定为38.7亿美元。目前这一数字已超过40亿美元。该项目获得了《芯片与科学法案》下近10亿美元的联邦支持，包括高达4.58亿美元的直接拨款和5亿美元贷款，并于2024年12月敲定。

英伟达、微软和谷歌是SK海力士最大的HBM买家，这三家公司均总部位于美国。虽然SK海力士同时在韩国扩大产能，但印第安纳州的站点提供了此前不存在的至关重要的地理多元化。

该项目预计将创造约7,000个直接与间接就业岗位。为支持这一劳动力队伍，SK海力士一直与普渡大学合作建立本地半导体工程人才库。对于印第安纳州而言，这座价值40亿美元的设施和数千个新工作岗位将重塑西拉法叶周边的当地经济，建立一个此前不存在的半导体生态系统。

更广泛的《芯片法案》倡议已吸引台积电、三星和英特尔等主要芯片制造商数十亿美元的投资承诺，这些公司都在美国建设或扩建设施。在存储领域，三星正大力投资以缩小HBM差距，而唯一总部位于美国的重大存储制造商美光也有自己的HBM雄心。