SK Hynix는 AI 칩 생산 능력 확대를 위해 신규 메모리 팹 2곳에 $38억 규모의 투자를 승인했다.

SK hynix Inc.는 주요 데이터센터 메모리 공급업체로서 이사회를 통해 두 개의 새로운 반도체 생산 공장 건설을 승인했습니다. 이 계획은 54조 원(약 $38.3 billion)의 비용이 소요될 것이며, SK hynix의 제조 용량을 확대하기 위해 설계된 $430 billion 규모의 광범위한 투자 계획의 일부입니다. 이러한 노력은 차례로 한국 정부가 주도하는 국내 칩 산업 성장 추진의 구성요소이기도 하며, SK hynix의 경쟁사인 Samsung Electronics Co.도 이 계획에 포함되어 있습니다.

새로이 발표된 건설에는 Yongin Y2라는 이름의 $25 billion fab이 포함될 것입니다. 이는 SK hynix가 서울 남쪽 약 20마일에 위치한 Yongin Semiconductor Cluster에 건설할 계획인 4개 칩 공장 중 두 번째입니다. 첫 번째 fab은 2월에 개장할 예정이며, SK hynix는 2027년 7월에 Yongin Y2의 착공을 계획하고 있습니다. 시설의 첫 번째 클린룸은 2029년 6월에 가동될 예정입니다. 건설이 완료되면 공장은 279 에이커의 바닥 면적을 보유하게 될 것입니다.

Yongin Y2는 DRAM 제조에만 전념할 것이며, 특히 HBM 메모리에 중점을 두고 있습니다. HBM은 인공지능 모델과 그 데이터를 저장하기 위해 그래픽 카드에 사용되는 고속 RAM입니다. SK hynix는 세계 최대의 HBM 생산업체입니다. HBM 칩은 서로 쌓인 RAM의 여러 층으로 구성되어 있으며, 이러한 배열은 부착된 AI 칩과의 고속 데이터 이동을 가능하게 합니다. 회사는 지난 9월 가장 고급 HBM 장치인 12층 칩을 출시했습니다. 이는 현재 그래픽 카드에 전력을 공급하는 메모리의 대역폭보다 2배 이상 많은 대역폭을 제공하는 HBM4 기술을 기반으로 합니다.

두 번째 새로운 fab은 NAND 플래시 메모리를 제조할 것이며, 이미 SK hynix의 3개 칩 공장을 호스팅하는 캠퍼스에 지어질 것입니다. SK hynix에 따르면 현장의 기존 전력 및 수자원 기반시설이 건설 일정을 가속화할 것이며, 시설의 첫 번째 클린룸은 2028년 12월에 개장할 예정입니다. 올해 초 SK hynix와 파트너 SanDisk는 HBM과 유사한 방식으로 NAND 플래시 회로를 서로 쌓는 새로운 NAND 플래시 기술인 HBF를 도입했습니다. 회사들에 따르면, 이 기술은 HBM 성능과 동등하면서 최대 16배 더 많은 용량을 제공할 수 있습니다.

SK hynix의 메모리 시장에서의 주요 경쟁사인 Samsung도 수직 메모리 기술을 추구하고 있습니다. 수요일에 Samsung은 NAND와 HBM 메모리를 로직 회로 위에 직접 쌓을 수 있도록 하는 두 가지 새로운 기술을 출시했습니다. 이는 구성 요소 간의 거리를 단축하고 더 빠른 데이터 이동을 가능하게 하여 처리 속도를 높입니다. Samsung은 자사의 스택 가능한 HBM 기술이 10년 말을 향해 출시될 예정인 다가오는 HBM 버전인 HBM5보다 8배 빠를 것으로 추정하며, 메모리 밀도는 10배 증가할 것으로 예상합니다. Samsung은 고객에게 맞춤형 상호 연결 구성요소를 추가함으로써 기술을 더욱 최적화할 수 있는 옵션을 제공할 것입니다.