SK Hynix创下Q2 2026纪录利润，因HBM定价保守而未达分析师预期；完成10份长期供应协议。

SK海力士公布了创纪录的第二季度业绩，收入同比激增257%至79.32万亿韦元（美元54.55亿），营业利润增长557%至60.54万亿韦元。然而，这两个数据均低于分析师预期的84万亿韦元和64万亿韦元。

业绩不达预期主要源于SK海力士采取了更保守的定价策略，特别是在长期客户协议下，这阻碍了公司与三星电子匹配其定价能力。根据DS投资证券公司分析师Lee Su-rim的观点，三星的价格提升幅度比SK海力士更激进。尽管如此，SK海力士在该季度保持了强劲的定价势头，DRAM平均售价环比上升30%，NAND平均售价上升幅度在50%中段范围。

SK海力士披露已完成十份长期供应协议，这些协议包含财务安排，包括客户预付款，旨在确保稳定需求同时提供对中长期需求的可见性。这些协议针对主要AI参与者，客户包括领先的美国超大规模云计算公司和AI芯片制造商，如NVIDIA。该战略表明公司对需求前景的信心以及对支持下一代AI基础设施的承诺。

NVIDIA通过宣布与SK海力士达成多年期AI内存供应协议，潜在价值高达5000亿美元，并计划建设大规模数据中心预计于2027年上线，成为这一趋势的典范。向长期协议的转变正在重塑整个内存行业，包括SK海力士、三星电子和美光在内的主要供应商正在稳步扩大此类合同。三星目前从长期协议中获得约40%的收入，预计这一比例将进一步上升。

在技术方面，SK海力士的HBM4在第二季度开始量产出货，已实现与其成熟HBM3E产品相当的良率和质量水平。公司已完成HBM4E的客户采样，目标在2027年量产。SK海力士也在开发下一代解决方案，包括HBM5和iHBM，后者集成混合键合来解决热挑战。iHBM配备内置冷却元件，相比现有解决方案将热阻降低约30%。

AI专用内存模块SOCAMM2的销售也在第二季度加速，该模块将低功耗移动DRAM适配到服务器环境。公司扩大了采用其10纳米级第六代DRAM工艺的产品出货。在NAND领域，321层产品现在占产出最大比例，SK海力士目标是到年底使其占国内产能的约50%。

反映其对持续需求的信心，SK海力士计划将今年资本支出提高到高40万亿韦元范围，高于2025年的30.173万亿韦元。