SK Hynix投入40万亿韩元(约300亿美元)扩大HBM和DRAM产能,应对AI数据中心内存供应约束

SK海力士在7月29日宣布，今年将大幅增加资本支出至40万亿韩元高位区间，受到对人工智能芯片日益增长的需求和加强市场领导地位的战略推动。该公司直接回应了近期关于AI泡沫和基础设施投资可能回落的担忧，定位自己通过下一代高带宽存储（HBM）技术来加快下半年的盈利增长。

根据7月29日的财报公告，SK海力士报告第二季度销售额为79.3万亿韩元，营业利润为60.5万亿韩元，分别同比增长256.8%和557.2%。

在第二季度业绩说明会上，SK海力士表示，全年总投资预计将达到40万亿韩元高位区间，比去年的30.2万亿韩元提高超过10万亿韩元，由加速生产计划和扩大资本部署驱动。

该公司强调，在供求失衡持续存在的市场中，按时可靠地交付所需产量的能力已成为仅凭技术实力之外的关键竞争优势。

为了利用这一优势，SK海力士正在加速其清州M15X设施的大规模生产爬坡，并进行先发制人的投资，以便在其龙仁半导体集群首个晶圆厂的洁净室在2027年初投运后能够迅速扩产。该公司还在推进中长期项目——包括P&T7先进封装设施、M17 NAND生产基地和新半导体集群——同时谨慎平衡客户需求和投资效率。

针对市场关于AI基础设施支出减少的猜测，公司官员表示："当前的市场形势不是削减投资，而是一个合理的阶段，即最大化已部署的大规模AI基础设施的使用效率，并开始认真变现。"该官员补充说，对于大型云服务提供商而言，AI投资与搜索、广告、云计算和软件服务中的竞争地位密不可分。"虽然由于电力和数据中心容量等制约，单个项目的时间安排可能会改变，但云服务提供商之间加剧的竞争将持续支撑明年以后扎实的AI基础设施投资。"

关于其核心增长驱动力，SK海力士报告称，HBM4——其第六代高带宽存储产品——已开始向主要客户进行大规模生产出货，生产产能稳步爬坡。"在大规模生产的良率和质量方面，性能已接近成熟的HBM3E产品代次，"公司表示。

下一代产品HBM4E的样品已送往主要客户，开发工作按计划推进，目标是明年实现大规模量产。虽然明年的具体定价因保密协议而保密，但SK海力士指出，由于客户需求坚实，产量和价格讨论进展顺利。

公司预计下半年将出现有意义的盈利复苏。"我们不是被动应对短期价格波动或季度盈利波幅，而是制定销售战略以确保稳定的需求可见性和深化长期客户合作关系，"公司解释说。"将部分高价值产品出货转向下半年影响了本季度的混合平均售价。"

下半年，HBM4供应量将显著增加，1C纳米级DRAM出货将大幅增长，推动芯片位数增长超过上半年。"加上更大比例的高价值产品带来的平均售价改善，下半年的盈利改善将大幅加速，"SK海力士总结道。