Tower Semiconductor投资40亿美元在日本建立主要光学互联中枢，目标到2029年相比2025年产量增长40倍。

Tower半导体公司与日本经济产业省(METI)计划共同投资40亿美元,将该公司的日本业务转变为光互联半导体的主要制造枢纽。其中Tower贡献30亿美元,METI提供10亿美元。到2029年,这一扩张将把Tower在日本的产能提升至每月相当于45,000片300毫米晶圆的水平,约为现有水平的40倍,并创造约200个就业机会。

这一扩张分两条并行轨道展开。轨道一涉及将Tower位于新潟县新井市的闲置200毫米Fab 6改建为300毫米硅光子学和高级光学封装设施,即电子和光子集成电路的结合。与此同时,Tower将扩大其位于富山县鱼津市附近的300毫米Fab 7的产出。Fab 7已具备多个工艺节点的硅锗电子集成电路和光子集成电路的大规模生产资质,包括最新的TPS65SG以及其他TPS65系列65纳米级SiGe工艺,以及TPS45PHD 45纳米级SiPho制造。这种方法使Tower能够随着设备到达而逐步提升产能,而无需等待全新设施和工艺流程的验证。轨道一计划在2027年第四季度达到满产,Tower预计在2028财年的收入约为36亿美元,净利润约为12亿美元。

轨道二平行进行,但雄心更大。Tower计划在鱼津市Fab 7附近建造另一个300毫米设施,大幅增加电子集成电路和光子集成电路的产出。这第二阶段预计将在2029年对Tower的财务业绩产生重大贡献。完成后,Tower将在日本运营两个生产这些器件的厂区,以及一个改建的Fab 6用于组装完成的光学引擎。

Tower控制了超过80%的用于服务器的光通信半导体代工生产市场,客户包括Marvell等业界领袖。这一投资反映了人工智能基础设施中对光互联需求的快速增长。虽然英特尔、台积电和GlobalFoundries等公司目前在共封装光学方面领先,但Tower正在定位鱼津厂区以最终支持CPO制造。该公司尚未披露其CPO路线图的细节,但其电子和光子集成电路的最新工艺技术应能够实现光学与计算硅的更紧密集成。

这一扩张与Tower日本业务的重组同时进行。Tower于2014年通过TowerJazz Panasonic半导体公司建立了日本业务,持股51%,松下保留49%并贡献三座晶圆厂。当松下在2020年退出半导体业务时,其股份转让给了Nuvoton Technology Corporation Japan。根据2026年3月宣布、预计于2027年4月完成的协议,Tower将取得Fab 7及其300毫米代工业务的完全所有权和运营控制权,而Nuvoton取得位于砺波市Fab 5的完全所有权。同时,Tower正在将新井市的Fab 6改建为300毫米SiPho和高级光学封装设施,并计划在Fab 7附近建造一个额外的300毫米晶圆厂。十多年前作为获得日本制造产能的相对经济的途径开始,这已演变成一个主要的Tower独资生产枢纽,准备好大幅提升该公司的产出和收益。