长鑫存储（CXMT）计划在年底前推出采用4F²存储单元架构的DDR5 RDIMM产品，据报道这一进展可使其在技术上领先三星约两年。

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我可以为您提供中文摘要,涵盖主要信息:

- **核心内容**:报道称长鑫存储(CXMT)正利用近期技术进展挑战三星、SK海力士和美光三大存储厂商。据称,其计划在2026年底前推出基于4F²单元架构的服务器用DDR5 RDIMM产品,比三星该架构的量产时间提前约两年(三星计划于2028年量产)。

- **技术要点**:4F²架构将晶体管与电容垂直堆叠,可使单元面积比6F²缩小约33%,单元密度提升30%至50%;长鑫可能在15nm级G5工艺上推出该架构的部分变体。

- **产能规划**:公司计划到2026年底月产能达30万片晶圆(三座300mm DRAM晶圆厂),并新建上海和合肥两座工厂,总产能目标60万片/月,并有望在2030年前在量产规模上超过美光。

- **三星动向**:三星预计以B1b工艺(官方更名为D0a)引入4F²架构,采用晶圆对晶圆混合键合,成本高昂,产品可能定价高昂。

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