长鑫存储（CXMT）的创新型4F²动态随机存取存储器被专家视为中国拓展服务器内存芯片的一项突破。

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**中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)计划在2026年底前推出采用4F²动态随机存取存储器(DRAM)架构的新一代DDR5 RDIMM服务器内存芯片。** 该公司总裁曹堪宇在周六的一场行业会议上披露了这一计划。

**主要内容:**

- **战略意图:** 长鑫存储希望借此进入服务器内存市场。该市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技等海外厂商占据优势。此前,该公司业务主要集中在消费电子领域。

- **技术核心:** 新平台的核心是垂直环绕栅极(Vertical Surrounded Gate)晶体管,可解决漏电和短沟道效应问题,同时提高存储密度。

- **架构变化:** 从行业主流的6F²布局转向更紧凑的4F²架构,每颗芯片的单元密度可提升30%至50%。

- **知识产权:** 长鑫存储已发表300多项与4F²架构相关的专利。

- **行业观点:** 专家认为,全球前三大存储厂商都在推进各自的4F²或类似的3D DRAM路线图,但尚无一家实现大规模商业化。如果长鑫存储率先推出相关产品,将有助于其在下一代存储竞争中占据先机,并提升中国在高端半导体供应链中的地位。

- **产品进展:** 长鑫存储的LPDDR6产品和第五代DRAM平台G5均已量产,技术迭代明显加快。

- **市场格局:** 2026年第二季度,三星电子以39%的份额领跑全球DRAM市场,SK海力士占26%,美光科技占25%(据8月4日发布的行业报告)。长鑫存储的全球市场份额已达10%(据Counterpoint Research)。

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