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Kioxia 和 SanDisk 的 BiCS NAND 闪存芯片在 FMS 2026 大会上进行了显微镜下的详细展示。

先进 NAND 封装工艺支持 AI 模型训练和推理系统的存储层扩展。
行业媒体Slicast · 2026年10月2日 UTC 19:55 · 全球 · 来源: ServeTheHome
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BiCS NAND是铠侠(Kioxia)和西部数据(SanDisk)的联合项目。在2026年FMS展会上,两家公司都在显微镜下展示了各自的NAND封装,我们拍摄了这些演示。

铠侠展示了其BiCS FLASH第10代1Tb TLC NAND,采用CBA技术,具有332层。展示包括晶圆样品和放大观看的芯片截面。截面视图揭示了该架构的复杂性:这些层看起来是竖直排列的,但实际上是错开的——尤其是在样品的左侧可以明显看到。顶部的封装球用作尺度参考。

西部数据展示了其BiCS FLASH第8代显微镜放大视图,并展示了晶圆样品。放大后的图像揭示了连接不同层的微观电线——这些细微细节在标准检查中是肉眼看不到的。另一个视图展示了该封装和单元结构在实际生产中的样貌。

随着人工智能驱动的存储需求达到前所未有的水平,NAND仍然是一个关键议题。要在现有封装中实现更高的容量和速度,所需的工程技术复杂程度远超大多数用户的认知。这些展厅内的演示——在显微镜下打开的NAND封装——提供了对这种复杂性的深刻洞察。虽然NAND的显微镜图像以前也在行业展会上出现过,但这些特定的视图展示了推进NAND技术向前发展所需的非凡精妙之处。

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