内存分析师预计HBM超级周期延伸至2030年，因为AI数据中心需求继续超过供应。

预测显示，内存半导体超级周期可能会延伸超过最初预期的2028年时间线，持续至2029-2030年。尽管三星电子、SK海力士和美光等内存厂商因应人工智能需求推出了大规模设备投资，但投资与生产之间存在3-5年的滞后期，这意味着供应短缺将在近期持续存在，即使来自AI数据中心的内存需求继续加速。

据全球咨询公司德勤预测，三星电子、SK海力士和美光在2027年的合计资本支出预计将达到1460亿美元（约合209万亿韩元），约为三年前2024年430亿美元投资的3.4倍。这占2027年预计2600亿美元总半导体设备投资的一半以上（56%）。内存厂商正在积极扩张生产能力。

然而，从投资到新增供应的时间周期仍然是一个重大瓶颈。工厂建设和设备安装通常需要3-5年，这使得在近期内难以解决供应短缺问题。德勤表示："尽管内存厂商设备投资快速增长，但新增供应将难以在2029-2030年之前出现。"

与此同时，内存需求持续激增。据半导体分析公司SemiAnalysis数据，内存占超大规模数据中心运营商今年设备投资的30%，约为2023-2024年间8%份额的四倍。明年这一比例预计将上升至36%。

2027年，超大规模数据中心运营商的总资本支出预计将达到1.14万亿美元，其中约4100亿美元用于内存采购。SemiAnalysis预测"DRAM价格将在2026年翻倍以上，明年也将保持两位数增长率"，并指出"高带宽内存（HBM）的结构性供应短缺预计将持续到2027年"。

半导体行业最初预计内存供应短缺从2028年开始缓解。然而，最近的评估表明供应短缺可能会持续到2030年之后。SK海力士首席执行官郭根澈上月告诉路透社："明年将是行业历史上供应方面最困难的一年"，并补充说："我们预计即使在2030年之后，客户需求仍将超过供应能力。"

三星电子同样在第二季度财报发布会上表示，"2029年之后，来自需要建立中长期大规模AI服务基础设施的大客户的多年期供应合同需求仍在继续。"一位资深半导体行业高管指出："大型科技公司对AI数据中心的投资速度快于内存厂商扩大生产能力的步伐"，并得出结论："内存繁荣可能会延续超出预期。"