Tesla的AI5 SoC在三星代工厂用2nm级节点流片；TSMC流片后不久投产。

特斯拉AI5芯片已在三星代工厂流片，计划在Taylor晶圆厂使用该公司最新的2nm工艺进行量产。这一里程碑由三星代工厂首席工程师詹姆斯·金(James Kim)在LinkedIn帖子中披露。

詹姆斯·金写道："特斯拉-三星AI5芯片已实现流片。它将在Taylor晶圆厂使用我们最新的2nm工艺进行制造，很快将被集成到特斯拉最新产品中。在过去的几个月里，与特斯拉帕洛阿尔托和奥斯汀的杰出工程师合作是一种荣誉。"

埃隆·马斯克(Elon Musk)于4月中旬首次展示了AI5芯片，并透露特斯拉计划同时在台积电和三星代工厂制造这款处理器。台积电版本的流片时间比三星版本早几个月。

马斯克4月展示的AI5处理器模块集成了一个相对紧凑的加速器核芯（大约半个掩膜版大小），以及12个SK海力士内存芯片，这些内存芯片似乎是标准的GDDR6或GDDR7器件。该封装采用有机基板，内存组件的标签方式与传统的离散DRAM芯片类似。

特斯拉尚未披露AI5内存子系统的宽度，但12个内存芯片的存在表明外部内存接口相对较宽。假设该模块使用12个GDDR6或GDDR7芯片，处理器将采用384位内存总线，根据所采用的内存技术和传输速率不同，内存带宽可达768 GB/s至1.536 TB/s。

虽然特斯拉尚未披露AI5的峰值计算性能或其他详细规格，但马斯克声称在某些工作负载中，AI5相比其前代产品的性能提升可达40倍。马斯克预期AI5将成为历史上产量最高的芯片之一，这也是特斯拉选择两家代工厂进行制造的原因。该公司计划在特斯拉汽车、特斯拉机器人和特斯拉数据中心部署AI5。