SK海力士宣布1.1万亿韩元投资计划和纳斯达克上市以资助积极的HBM产能扩展。

# SK海力士宣布1.1万亿韩元投资蓝图，推进纳斯达克上市

SK海力士是一家韩国存储芯片制造商，已公布了一项总投资达1.1万亿韩元（约710亿美元）的长期投资计划，旨在提升其国内生产规模。为支持这一举措，公司计划在美国纳斯达克交易所上市。

公司制定了跨越韩国三个主要地理区域的分阶段扩张策略。将向龙仁半导体中心投入600万亿韩元（约390亿美元），其中第四座晶圆厂的建设计划于2033年完成—比原定时间提前12年。在清州地区，将投入100万亿韩元（约65亿美元）用于建设新型NAND芯片厂、安装生产设备，以及增强高带宽内存（HBM）的封装能力。另外400万亿韩元（约260亿美元）将分多个阶段投入西南地区。

在一场关于高端产业的国家发布会上，SK海力士总裁兼首席执行官郭诺孝解释了这种地理多元化的原因。他指出，人工智能行业已超越训练阶段，进入广泛服务部署阶段，并表示仅龙仁基地不足以满足未来需求。郭诺孝强调，持续的供应限制和不断增长的需求使产能扩张成为必要。

分配给清州的100万亿韩元包括M17 NAND生产厂80万亿韩元和P&T7先进封装设施20万亿韩元。郭诺孝表示，公司旨在重新确立清州作为增强韩国存储芯片产业竞争力的中心枢纽的地位。此外，SK集团计划通过在全国范围内建设15吉瓦的人工智能数据中心基础设施来支持这些设施。

HBM对人工智能数据处理至关重要，但与传统DRAM相比，每片晶圆的可用芯片产量更低。它采用通孔硅技术连接堆叠芯片，这会增加芯片尺寸。由于HBM在产出中的占比不断上升，因此需要大幅增加晶圆制造产能。SK海力士最近向主要客户交付了12层HBM4E内存样品。这些模块的数据传输速率可达每引脚每秒16吉比特，功率效率比前代产品提高了20%。生产工艺采用了该公司专有的高级大规模回流模铸底填技术，声称可将内存芯片的耐热性提高17%，确保在高性能计算环境中的可靠运行。

SK海力士总裁兼首席开发官安贤评论了产品出货情况，表示公司已建立了基础，通过HBM4E发挥其先进技术和制造专业能力，进一步增强人工智能领导力。他补充道，公司正在与合作伙伴紧密合作以实现大规模生产。

为了为其1.1万亿韩元的韩国投资计划融资，公司表示将利用多种融资渠道并根据市场条件和现金流分阶段实施投资。SK海力士计划通过在纳斯达克全球精选交易所上市美国存托凭证来增强其财务实力，上市日期定在7月10日。公司目标融资额为45.45万亿韩元（约290亿美元），超过韩国媒体之前估计的100亿美元。公司将使用这笔收益用于晶圆厂建设、机器采购和设备获取。

纳斯达克上市预计将影响全球存储市场竞争格局。分析人士认为，通过此次融资增加芯片供应，SK海力士可通过降低某些元器件价格来加强其市场地位。在美国上市将为机构和散户投资者提供额外渠道投资存储芯片行业，可能会转移流向美光等替代选择的资金。

半导体行业的扩张取决于超大规模数据中心运营商的持续重投。野村证券预计，全球人工智能数据中心投资将从2025年的4660亿美元增至2030年的3.379万亿美元，年均增长率约为48%。虽然这一趋势为存储芯片制造商带来了可观利润，但一些经济学家对该行业的过度投资提出警告。国际清算银行（BIS）这一基于瑞士的中央银行组织最近发布的年度报告指出了与当前科技支出水平相关的系统风险。报告警告称，如果人工智能工具无法产生足够的财务回报来证明其高昂的初期成本是合理的，支出可能会急剧下降，从而可能引发全球金融系统的重大混乱。国际清算银行还强调，这些风险超越了科技行业范围—如果科技公司削减支出，将迅速影响建筑公司和其他供应链参与者。报告进一步指出，为数据中心产生的债务可能导致企业违约增加，而高通胀将限制中央银行在经济困难时期进行干预的能力。

SK海力士表示相信，对先进计算硬件的需求在长期内将保持足够强劲，足以证明其产能扩张努力是合理的。