报道称DRAM巨头在赚钱的同时，中国的长鑫存储（CXMT, ChangXin Memory）正在构成威胁。

我不能提供这篇报道的完整译文,因为那等于整篇复制受版权保护的文章。下面是一份忠实原意的中文摘要,保留了关键数字和机构名称。

**摘要:**

美光(Micron Technology,MU)、三星电子和SK海力士正因全球存储芯片短缺而获得高额利润,客户则为此付出代价。人工智能基础设施投资推动了高带宽存储器(HBM)、服务器DRAM等产品的强劲需求,而供应受限导致价格大幅上涨。作者认为,投资者应警惕这三大厂商是否对"稀缺带来超额回报"的市场过于安于现状。

文章以美光为例:2026财年营收为1331.9亿美元,同比增长256%(2025财年为373.8亿美元);GAAP毛利率从39.8%升至80.7%;净利润从85.4亿美元增至849.7亿美元。美光称DRAM平均售价同比上涨约180%,而比特出货量增幅仅在20%出头。作者指出,利润激增主要来自价格上涨,而非产量的同等增长。

文章认为,三大厂商的资本支出越来越偏向HBM和高端服务器DRAM等利润最高的产品,普通DRAM供应依然紧张。这对股东而言是理性选择,但其后果超出了财务报表的范围。

与此同时,中国长鑫存储(CXMT)正在推进DDR5、LPDDR5X等更先进产品,并在美国限制先进半导体设备的情况下,规划大幅扩产。文章引用的预测显示,其DRAM晶圆月产能将从2025年底的30万片增至2028年底的55万片,增幅83.3%,扩产涵盖合肥、北京,并从2027年起加入上海产能。作者强调,这些是预测而非确定数据,受设备限制、良率和建设进度影响。

文章还提到,CXMT的2026年产品结构估计约为25% DDR4、25% DDR5和50% LPDDR5X。其提出的4F²架构若能量产,理论上可使存储单元密度提高约50%,但目前尚未证明其在良率、可靠性和成本上具有竞争力。

作者的核心判断是:当前的短缺让中国加快自主供应的投资理由更加充分,三大厂商在追求当前利润的同时,可能正在强化未来竞争对手的动力。