三星将借道台积电3nm制程为NVIDIA下一代定制内存NVHBM制造基础芯片，HBM供应链格局重塑

据韩国《首尔经济日报》10月18日报道，三星将采用台积电3nm制程为NVIDIA的NVHBM（下一代定制高带宽内存）生产基础芯片（base die）；NVIDIA同步要求SK Hynix和Micron也采用台积电工艺生产NVHBM基础芯片，并使用第六代DRAM技术生产核心芯片。NVIDIA于2026年8月发布NVHBM标准，目标是统一定制HBM的制造方式，据报道相比标准HBM4E可提升约30%内存带宽并降低约15%功耗。此次将是三星与台积电首次在HBM生产环节展开协作——两家公司此前一向是代工市场的直接竞争对手。（英文原标题：*Samsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips*） 点评：NVIDIA以采购权力强行推动三大内存供应商统一采用TSMC制程，本质是在内存层面复制其在GPU层面已实现的供应链掌控——台积电在AI芯片全价值链的枢纽地位因此进一步加固，三星的代工自主权则被侵蚀。

延伸阅读:Seoul Economic Daily (英文版)、CryptoBriefing