SK Hynix正利用光互连技术来维持其在HBM市场的领先地位，以应对日益激烈的竞争。

SK海力士似乎正将光互连和共封装光学（CPO）定位为突破AI内存墙的关键技术。由这家韩国存储巨头与弗吉尼亚大学、南洋理工大学以及麻省理工学院（MIT）的学者共同撰写的一篇研究论文，探讨了光计算互连如何支持下一代AI系统。研究人员主张用光链路取代铜互连，称其为“通向未来可扩展性的最有希望的路径”。

尽管CPO技术日益被用于加速计算托盘内的芯片间链路以及交换机之间的连接，但SK海力士及其研究合作伙伴设想将这些互连一直延伸至内存接口。该论文概述了一种“以光为中心”的架构，利用光子中介层——一种通过电信号和光信号路由数据的芯片封装基板——来直接连接内存池和处理器。这种方法旨在最大化计算系统中的数据移动效率。通过使多个AI加速器能够以显著高于传统存储链路的速度共享庞大的内存池，该架构将促进高效且可扩展的系统级数据移动。

弗吉尼亚大学教授Kyusang Lee解释道：“将光互连延伸到内存接口将克服围绕计算芯片的物理限制，消除对内存容量和电气连接数量的限制。”“它还将允许多个AI加速器共享一个大内存池，随着AI模型规模的不断扩大，这将使AI基础设施具有更高的适应性。”

持续的内存短缺已将硬件价格推至历史新高，而这在很大程度上是由AI数据中心开发商推动的。尽管近年来AI加速器的性能呈指数级增长，但高带宽内存（HBM）却难以跟上步伐。与传统内存相比，HBM每吉比特消耗的硅晶圆产能要大得多，从而造成了严重的性能瓶颈。因此，AI基础设施运营商一直在积极购买可用供应，以满足其高性能计算堆栈的需求。

为了突破这一内存墙，业界正在开发更快、功耗更低的替代方案，例如韩国电子通信研究院开发的2T0C，以及旨在为计算引擎和内存之间提供低延迟连接的基于Chiplet的互连技术。SK海力士也在支持一种潜在的HBM替代方案，即闪迪开发的高带宽闪存。然而，鉴于其在HBM市场的主导地位，SK海力士在CPO上的投资作为一种战略防御机制，旨在保持其旗舰产品的竞争力。此前对HBM的强劲需求推动了这家韩国存储巨头的市值突破1万亿美元，并促成了外国公司在纳斯达克历史上最大规模的上市发行。在最近的市场交易中，这家韩国芯片巨头的股价在纳斯达克上涨近30%，在韩国交易所（KRX）上涨13%。