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英特尔推出EMIB-T技术支持超大型芯片集成,容纳10倍以上光刻步进单位和12Gb/s+的HBM4e。

EMIB-T芯粒互连扩展允许英特尔和合作伙伴构建与单片设计竞争的AI加速器,降低下代芯片封装约束。
行业媒体Slicast · 2026年7月10日 UTC 17:46 · 美国 · 来源: Business Upturn
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特尔推出了EMIB-T,一种先进的芯片封装技术,旨在支持用于人工智能和高性能计算工作负载的更大更强大的处理器。该技术解决了制约日益复杂芯片设计发展的关键限制。

这一公告反映了半导体行业更广泛地转向先进封装解决方案。制造商不再仅仅依赖更小、更快的芯片,而是越来越多地将多个专门化的组件组合成单一系统,以满足生成式AI、云计算和大语言模型的巨大计算需求。

EMIB是Embedded Multi-die Interconnect Bridge(嵌入式多芯片互连桥)的简称,是英特尔用于在单个封装内通过超高速通信连接多个芯片的平台。EMIB-T大幅扩展了这些能力,支持包含超过10个光刻尺寸芯片的芯片封装。光刻尺寸代表生产中单个芯片能被制造的最大面积,连接多个光刻尺寸的芯片能够实现远比单片硅更强大的处理器。

EMIB-T还支持超过12 GT/s的HBM4e内存速度。高带宽内存广泛应用于AI加速器中,因为它能够处理大量数据移动,同时消耗的功率远低于传统内存技术。

这种芯片设计方法提高了制造效率,同时使处理器能够扩展到更高的性能水平。训练先进的AI模型需要巨大的计算能力和内存带宽,随着客户构建更大的数据中心,EMIB-T等技术变得越来越关键。

英特尔面临来自英伟达、AMD和台积电的激烈竞争,这些公司都在大力投资先进封装和AI基础设施。连接更多芯片并使用更快内存的能力已成为服务下一代AI工作负载的关键竞争优势。

虽然EMIB-T是一个技术平台而非消费产品,但其意义可能很重大。成功集成到未来的AI处理器中将使英特尔能够缩小竞争差距,并为先进人工智能应用提供更强大的计算解决方案。

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