英特尔EMIB-T突破现有AI和HPC扩展极限，支持复杂多芯粒系统和高带宽HBM4e。

Intel的嵌入式多芯片互连桥接器与穿硅通孔技术（EMIB-T）代表了面向AI和HPC工作负载的先进封装解决方案的重大进步。该技术在IEEE 2026（ECTC）上得到完整展示。EMIB-T建立在Intel现有EMIB技术基础之上——该技术自2017年开始量产以来已吸引包括TeraFab、Google和NVIDIA在内的客户——通过增加穿硅通孔能力，大幅提升性能和可扩展性。

EMIB的基本目标是提供高速、经济有效的互连能力，用于连接多个芯粒。EMIB相比TSMC的CoWoS封装方案展现了实质性优势，能够实现更灵活和更大规模的计算架构，同时避免了竞争方案的成本和功耗代价。作为硅桥，EMIB也比现有封装技术小得多，降低了制造风险。

EMIB-T结合了2.5D集成的精细间距互连密度与穿硅通孔架构的垂直扩展优势。最近的扩展成就包括将第一层互连（FLI）凸点间距降低到25微米，并将封装外形扩展到超过120毫米×120毫米，使单个封装能够容纳超过9个掩膜版的计算和存储硅内容。该技术支持HBM4e存储的超过12 Gb/s的可靠高速信号传输，通过SRAM芯粒的3D垂直集成实现了265 GB/s/mm²的带宽密度。在这些密度下，芯片间互连占总功耗的不足15%，能效在较低频率下低至0.15 pJ/bit——支持未来超大型封装的发展，尺寸可达240毫米×240毫米。

与通过MIM电容器在硅桥周围路由功率的EMIB-M不同，EMIB-T通过TSV直接在桥接器中路由功率，实现更大的扩展密度。已提出两种不同的EMIB-T封装配置，集成了应用专用集成电路、HBM和I/O芯片，具有448G SerDes数据速率，以及优化的电源传输、热管理和冗余解决方案，设计目标是为了实现良率。超过10个掩膜版芯片面积已成功封装，在2.5D和3D封装架构中已验证了无空隙工艺。Intel的技术路线图表明了未来支持完整片上系统的能力，以满足新兴的HPC和AI需求。