美光计划将其 HBM 产能翻倍至每月约 10 万片晶圆，HBM4 预计将占据迅速增长的市场份额。

美光（Micron）目前正大规模量产HBM4，带来数十亿美元的收入，并计划大幅扩大生产规模。据韩国《电子时报》援引行业消息人士报道，这家美国存储制造商的目标是在2026年底前将其HBM总产能提升至每月约10万片晶圆投片量。去年，其月产量约为4万至5万片晶圆，这意味着该目标将在短时间内使产能翻倍。尽管美光尚未将10万片晶圆这一数字确认为官方生产目标，但公司已正式确认了HBM4的快速爬坡、持续的批量出货以及累计HBM4收入超过10亿美元的事实。鉴于这些已确认的指标，报道中的产能扩张计划极具可信度，尽管具体数据仍基于行业报道。

《电子时报》的报道指出，美光计划在年底前增加每月多达6万片额外HBM晶圆的投片产能，据报道设备供应商已收到大量订单以支持这一举措。主要的制造和封装业务将集中在台湾和新加坡，同时日本广岛也在进行预备性投资。这种激进的扩张凸显了美光努力缩小与竞争对手SK海力士和三星之间差距的决心，后者据报道每月分别运营约15万至20万片HBM晶圆投片量。即使达到10万片晶圆的水平，美光也不会超越其竞争对手，但竞争差距将显著缩小。

产品组合的转变值得特别关注。行业报告显示，在2026年初，HBM4 12-Hi（12层堆叠）仅占美光HBM产量的20%至30%，预计年底这一比例将达到50%。虽然未经官方证实，但美光对HBM4的积极推广已有据可查。该公司已在大批量生产36GB HBM4堆栈，该堆栈具有十二层DRAM层、2,048位宽接口、每引脚速度超过11 Gbit/s，且每个堆栈的聚合带宽超过2.8 TB/s。与HBM3E相比，美光表示HBM4提供的带宽是其2.3倍，能效提高超过20%。此外，公司已向客户交付了48GB 16-Hi HBM4样品，使其每个堆栈的容量比12-Hi变体增加了三分之一。今年六月，美光指出，HBM4 12-Hi的爬坡速度大约是上一代HBM3E 12-Hi周期的两倍，这与前述超过10亿美元的收入相吻合。

美光的HBM4架构是专门为英伟达（NVIDIA）的Vera-Rubin平台设计的。从HBM3E过渡到HBM4加剧了对制造产能的需求，因为HBM每比特所需的晶圆面积远大于传统DRAM，并且涉及复杂的堆叠和先进封装工艺。因此，10万片HBM晶圆投片量并不等同于10万片标准DDR5晶圆的内存产量。扩大HBM生产不成比例地消耗了整个DRAM生态系统的资源，这一动态目前正在加剧全球内存短缺。尽管存在这些限制，但该投资在战略上是明智的。AI内存已成为美光利润率最高的细分市场之一，下一代加速器内存的需求持续超过供应。《电子时报》引用Counterpoint Research的数据指出，美光在2026年第二季度拥有估计18%的全球HBM市场份额，落后于SK海力士（约50%）和三星（约32%），但已牢固确立了其作为重要参与者的地位。

将产能扩展至每月约10万片晶圆投片量将显著增强美光的市场地位。然而，仅靠产能并不能决定成功。最终结果将取决于制造良率、封装效率、与英伟达及其他关键客户的认证周期以及向HBM4E过渡的速度。这些因素最终将决定新基础设施能产生多少可销售的内存材料。该报告与美光关于其HBM4轨迹的官方披露高度一致。将产能翻倍至每月约10万片晶圆雄心勃勃，但鉴于HBM4收入超过10亿美元以及加速的生产时间表，这完全可信。尽管如此，10万片晶圆的目标和潜在的50% HBM4产品份额仍应被视为行业估算值，而非确认的企业指导方针。唯一确定的是，美光正在大规模生产HBM4，且爬坡速度快于HBM3E。年底前实际的生产量仍是需要密切关注的关键指标。