ASML已锁定台积电、三星和英特尔采用更大光罩的计划，使其最新高数值孔径极紫外设备的吞吐量提升40%，同时华为正加速推进光刻设备的本土化。

阿斯麦（ASML）是全球唯一的光刻机制造商，其生产的极紫外（EUV）光刻机对于制造最先进的AI加速器至关重要。该公司在2019年推出了较简单的低数值孔径（Low-NA）系统后，已与客户合作部署更复杂的高数值孔径（High-NA）平台。

这项协议的核心在于一项有针对性的技术转变：这四家公司计划将光掩模从目前的六英寸标准过渡到十二英寸。光掩模充当持有芯片电路图案的模板。在光刻过程中，光线穿过掩模照射到涂有感光材料的硅晶圆上，从而转移设计图案，以便蚀刻出晶体管和电路路径。更大的掩模允许每次曝光拥有更大的成像区域。此前，六英寸的限制限制了单个芯片的尺寸，迫使制造商垂直堆叠芯片并通过复杂的封装工艺互连——这一过程增加了成本和工程开销。

尽管历史上被视为复杂且昂贵，但据阿斯麦首席技术官Marco Pieters称，这一协调举措有望将High-NA机器的吞吐量提高40%，并简化设计工作流程，他将其描述为一个重大机遇。台积电（TSMC）和阿斯麦计划在2031年前建立一条十二英寸掩模测试线，目标是在2033年前在High-NA设备上实现全面生产部署。台积电此前一直持谨慎态度，认为生产力提升尚未抵消高昂的费用。鉴于台积电约占这家荷兰公司收入的16%，其最近的立场转变对阿斯麦意义重大。三星和英特尔等这三家关键客户现已支持该倡议。作为领先的内存制造商，三星计划从2028年开始采用High-NA系统进行内存芯片生产，该领域正受到激增的AI数据中心需求推动而出现价格大幅上涨。

与此同时，《金融时报》报道，华为正在牵头努力使中国的半导体供应链摆脱对外国依赖，并规避限制阿斯麦技术的西方出口管制。该公司正在资助整个光刻价值链的投资，并促进与中芯国际（SMIC）等主要代工厂的合作。中国目前的重点仍是深紫外（DUV）光刻，而非尖端EUV光刻。DUV的工作波长为193纳米，而EUV为13.5纳米。虽然较短的EUV波长能够实现最先进制程节点更精细的结构图案化，但DUV仍然是业界成熟且广泛部署的标准。通过多重曝光技术——即图案分多层在多步曝光中叠加——DUV仍能制造先进半导体，尽管相对于EUV而言，其复杂性和成本更高。

据《金融时报》报道，华为倡议的核心是位于上海的设备制造商宇良盛（Yuliangsheng），该公司因开发中国首台先进DUV设备而受到认可。《金融时报》报道称，宇良盛是从SiCarrier剥离出来的实体，后者声称与华为保持密切联系——华为否认了这一联系。该设备目前正由中芯国际和华为自己的生产线进行测试，最初部署用于复杂度较低的半导体制程节点。宇良盛的目标是在年底前实现每年生产12台DUV系统，但其能力仍远远落后于阿斯麦。伯恩斯坦分析师林庆元指出，华为在中国DUV发展中主要扮演项目管理的角色，他强调单一原型是不够的。“你需要成千上万的供应商和客户共同努力，加上一个中央协调力量，”他表示。

主要的瓶颈仍然存在于投影镜头和光源方面。据《金融时报》报道，尽管德国蔡司（Zeiss）公开宣称其仅向阿斯麦供应镜头，但宇良盛仍依赖蔡司光学元件。行业内部人士建议，包括二级市场在内的替代渠道可能正在促成获取途径。同时，华为的风险投资部门哈勃（Habo）正在投资国内替代品，以减少对外国组件的依赖，支持蔡司的竞争对手，如福建智奇光子（Fujian Zhiqi Photonics）和光源开发商北京锐科激光（Beijing RSLaser）。