美光科技的G11三维闪存据称层数超过400层，密度翻倍，达到每平方毫米42 Gb，接口速率为5400 MT/s，可用于制造容量更大、速度更快的固态硬盘。

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**美光G11三维NAND闪存要点摘要**

- **量产时间**:美光下一代三维NAND(G11)计划于2027年下半年进入量产。

- **主要指标**:存储密度约为现有G9(N160)的两倍;I/O性能较现有产品提升最多50%;每比特数据传输能耗下降超过25%。

- **关键技术**:采用晶圆对晶圆键合(wafer-on-wafer bonding),将存储阵列与外围逻辑电路分别在不同工艺的晶圆上制造后再键合,以便各自独立优化。美光在此方面参照了长江存储(YMTC)的路线。

- **层数**:堆叠层数超过400层,但美光尚未披露活动字线层数和存储堆叠(deck)数量。公司称其存储单元间距(cell pitch)处于行业领先水平。

- **应用方向**:既面向大容量客户端和数据中心SSD,也面向对带宽和能效要求更高的AI存储设备。

- **G11之后**:美光计划沿X、Y、Z三个维度同时微缩,而不只是增加层数,重点包括高迁移率新材料、超高密度单元架构以及更高能效的器件和数据通路。具体架构、密度目标和量产时间尚未披露。

- **更多细节**:美光预计在2027年、临近2027年下半年量产时披露G11的更多技术细节。

如需,我可以进一步整理成更详细的分析要点,或针对某一部分(如键合工艺或能效指标)做专题说明。