SK海力士报告创纪录Q2业绩（同比利润增长557%），并宣布HBM与内存产能扩产成本升至27亿美元。

SK海力士报告第二季度营收达79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元，同比增长557%，创纪录的营业利润率达76%。在首尔财报电话会议上，该公司上调2026年资本支出指引至40万亿韩元的高端范围，理由是AI服务器需求持续超过其产能。

第三季度DRAM位元出货量指引环比上升约10%。前一季度DRAM平均售价上升约30%，而NAND价格涨幅在50%左右。

SK海力士在7月初以每份149美元的价格发行1.779亿份美国存托凭证，融资265.1亿美元，这是非美国公司有史以来最大的股票融资。美国证券交易委员会(SEC)的备案文件指定这笔收入用于韩国制造设施和设备，包括EUV扫描仪。

资本支出指引将用于清州M15X晶圆厂的加速大规模量产、龙仁第1阶段洁净室(定于2027年初开工)，以及之前公布的P&T7先进封装厂和M17 NAND基地的分阶段建设(根据客户需求)。本季度末现金和短期投资达88万亿韩元，三个月内增加33.6万亿韩元，计息债务为18.6万亿韩元，债权益比为7%。

首席执行官郭锟锺称2027年是短缺最严重的一年，将危机的终结定在2030年之后。按该公司估计，全年DRAM需求增长率为20%左右，而位元出货量指引下一季度上升约10%。正在建设的产能都不会在2027年前生产晶圆。

营业利润低于联合通讯社调查的券商预测的64.1万亿韩元。高管们将混合DRAM平均售价较低归因于产品组合和高价值出货延至下半年，称随着HBM4和1c节点常规DRAM的推出，这一差距应该会缩小。HBM4在本季度进入大规模生产，HBM4E样品已出货，大规模生产目标在2027年。

受全球抛售影响，SK海力士在公告后于首尔下跌约10%，三星电子跌幅5%，KOSPI综合指数下跌6%，首次跌破6000点(自4月14日以来)。该指数一度跌至5262点，下跌近13%，五日累计跌幅达17%，将年初至今涨幅从6月的116%下降至34%。过去一个月，SK海力士下跌47%，三星下跌37%。KOSPI前一日下跌10.84%，在SK海力士美国存托凭证跌破149美元发行价后触发全市场熔断机制。

较弱的股东回报预期加剧了业绩不达预期的局面。SK海力士告诉分析师，额外回报仍在评估中，将在年内披露。eToro亚太及中东地区首席分析师乔什·吉尔伯特表示，"期望已经超越了即使是又一个创纪录季度也能提供的结果"。

长鑫存储(CXMT)在筹集579.2亿元人民币用于DRAM晶圆生产线后，在上海首次上市上升466%。同时最近有报告表明中国今年正在低产量运行约5台国产沉浸式DUV扫描仪。TrendForce预测第三季度常规DRAM合约价格上升13%至18%，NAND上升10%至15%。