Apacer CEO警告商用DRAM供应将在2027年下降70%，与SK海力士CEO观点一致，预示存储芯片短缺风险。

亚帕科CEO C.K. Chang警告，商品DRAM供应在2027年可能剧烈下滑，降幅高达70%，制造商在该年可能仅发布其2026年产量的30%。这一预测与SK海力士CEO Kwak Noh-jung最近的警告相呼应，后者指出2027年"将是行业历史上供应角度最糟糕的一年"。

根据Business Times的报道，存储相关晶圆供应预计在2027-2028年间每年增长约12%，但其中约一半产能将被HBM（高带宽存储器）占用。三星将在2026年出货约120亿GB的HBM，2027年增至200亿GB。SK海力士将在2026年供应180亿GB的HBM，2027年供应240亿GB。因此，非HBM DRAM比特增长将被限制在2027-2028年每年15%的水平，而需求预计增长22%。

新的制造产能将逐步投产。三星的P5 Fab 1将于2027年7月开始生产，P5 Fab 2及龙仁厂房将在2029年跟进。SK海力士方面，龙仁Y1工厂将于2027年2月开始运营，Y2设施将在2028年下半年投产。

在最近的财报电话会议中，SK海力士表示："我们预期内存需求总体将持续增长，既包括用于AI和计算的HBM，也包括支持代理AI的服务器DRAM，以及用于支撑AI服务扩展的高性能、大容量NAND，还有数据增长。"

消费电子产业的潜在救援可能来自长江存储(CXMT)的3D DRAM技术商业化，该技术通过垂直堆叠内存单元来增加容量，而非依赖于用EUV机器蚀刻的日益微缩的水平特征。这种方法能够最大化比特密度和存储容量，无需进一步的水平工艺缩小。