Micron宣布其HBM(高带宽内存)产能已售罄至2026年,数据中心收入同比增长150%。

美光科技（纳斯达克代码：MU）股价交易于914.43美元，已突破1.272斐波那契扩展位862.46美元，接近1.618水平919.75美元。这一涨势得到强劲基本面支持：Q2 FY2026收入同比激增62%至87.1亿美元，数据中心收入增长超150%，管理层将全年指引上调至315-335亿美元。最重要的是，HBM3E在2026年的大部分时间已售罄，标志着商业模式的结构性转变。

在Q2 FY2026，美光在几乎每项指标上都表现出色。收入同比增长62%至87.1亿美元。非GAAP每股收益达到1.85美元，远超华尔街预期。非GAAP毛利率扩大至45.8%，由于产品组合向高价值HBM和数据中心DRAM转移，低毛利消费类内存相应下降。数据中心收入（包括HBM和企业DRAM）同比增长超150%，创美光有史以来最快增速。公司上调FY2026全年收入指引至315-335亿美元，预示2026年剩余时间内的环比增长。

最关键的启示涉及HBM分配。美光在2026年大部分时间内HBM已售罄，意味着公司无法满足所有现有需求。美光的HBM3E是其当代高带宽内存产品，位于英伟达H100、H200和Blackwell GPU的插装板之上——为GPU本身供电的内存堆栈。全球仅有三家供应商——美光、三星和SK海力士——能够商业规模生产HBM。美光的售罄地位反映了与主要超大规模数据中心商的多年供应合约和合同定价。这代表了根本性转变：HBM业务正从商品周期转向具有长期收入确定性的订单驱动模式。

与由全球供求动态决定的标准DRAM不同，HBM是定制制造产品，需要数月认证周期。HBM的单位成本远高于商品DRAM，正因为超大规模数据中心一旦进入AI数据中心部署阶段后，更换供应商极其困难。HBM制造需要全球仅少数公司掌握的独特堆栈工艺，需要数月认证和高转换成本。根据CEO Sanjay Mehrotra的说法，HBM可被认为比标准DRAM的内存密集度高10-20倍，这是由传统工作负载向大规模并行AI工作负载转变所驱动的。

这些结构性力量使45.8%非GAAP毛利率扩张成为持久趋势而非周期性异常。美光正大力投资HBM，目前生产其1beta和1gamma DRAM工艺节点，提升功耗和密度以支持更高端HBM产品。由《芯片法案》资助的美国和日本制造业扩张降低地缘政治供应链风险，为超大规模数据中心提供国内采购保证。同时，传统DRAM市场——PC、智能手机和汽车——在2024-2025年衰退后正在恢复。传统DRAM业务改善与当代HBM2026年售罄形成的组合，是一个不太可能持续被低估的局面。

技术面上，MU已清除强势看涨形态，成交量扩张显示积极买方参与。RSI在61至78区间交易，显示强劲动力但尚未出现衰竭信号。动态支撑已从近期低点651.84美元稳步上升，股票持续创造更高的高点和更高的低点。1.618斐波那契扩展位919.75美元是下一近期目标——仅相差5.32美元。收盘突破920美元将开启2.0斐波那契扩展位983美元的道路。关键支撑位在863-862美元（之前突破的1.272水平）及更深幅回调时的734.23美元。

看涨论点基于62%收入增长、数据中心同比增长150%、45.8%结构性非GAAP毛利率和315-335亿美元全年指引。下一主要催化剂是Q3 FY2026财报，预计8月下旬公布。关键风险包括三星和SK海力士在HBM市场份额上的激烈竞争，以及超大规模数据中心AI资本支出增速放缓，这将减缓近期HBM增长需求。