三星预计2026年Q3 HBM4先进存储收入翻三倍，HBM有望成为与DRAM相当的收益驱动力。

三星电子第二季度再次创造纪录，营业利润同比增长19倍，达到89.5万亿韩元。虽然存储芯片作为关键利润驱动力并不令人意外，但其贡献规模令人惊人：DS部门在第二季度占三星总营业利润的99.7%，营业利润同比增长超过250倍，这一点由《The Elec》和路透社指出。

三星第二季度收入创纪录地达到171.5万亿韩元，环比增长28%，主要由器件解决方案（DS）部门驱动，该部门销售环比增长56%。包括存储、系统LSI和晶圆代工在内的DS部门实现营业利润89.2万亿韩元，营业利润率从2026年第一季度的65.7%扩大到接近70%。

然而，存储芯片的繁荣对三星智能手机业务带来了负面影响。随着飙升的存储芯片价格推高了零部件成本，该公司的移动体验（MX）部门出现700亿韩元的营业亏损，这是其有记录以来首次出现季度亏损，据路透社报道。

据Newspim报道，三星预计2026年下半年存储芯片供应短缺将加剧，因为AI服务器DRAM、企业级固态硬盘和HBM的需求激增远远超过减弱的手机和PC需求。据韩联社报道，该公司预测AI存储芯片的供应短缺明年将加剧，因为需求将继续远远超过供应能力，这种失衡预计将持续到2028年。

三星已经开始HBM4大规模生产，并已开始向包括英伟达在内的主要客户发货，同时通过向关键客户发送HBM4E样品来扩展其AI存储芯片产品组合。据韩联社报道，突出其激进的HBM野心，三星预计HBM4收入在第三季度将环比增长超过3倍，并在2026年下半年占总HBM收入的60%以上。

该公司计划在1c级DRAM产能提升的同时进一步扩大HBM4供应能力。三星还计划获得与其整体DRAM市场份额相当的HBM市场份额，以帮助建立更均衡的存储芯片产品组合。

同时，SK海力士在其财报中披露DRAM平均售价环比上升30%，而NAND固态硬盘的平均售价在第二季度增长了50%中段区间。相比之下，三星的DRAM平均售价上升了40%中段区间，NAND平均售价上升了60%高端区间。第二季度DRAM出货量环比增长超过10%，而NAND出货量增长了个位数低端区间。

据《朝鲜日报》报道，尽管存储芯片业务繁荣，三星的晶圆代工和系统LSI部门在第二季度仍然处于亏损状态。然而，出现了改善的迹象：系统LSI通过更强的移动SoC和图像传感器销售维持了季度收入，而晶圆代工业务因HBM基础晶圆需求上升和美国客户订单而改善，新的2纳米HPC设计赢单不断增加。

在2026年下半年，三星晶圆代工业务旨在扩大2纳米移动芯片产能，并加快4纳米基础LPU和基础晶圆产品的增长。