芯片与硬件 · 报道
中国内存制造商的产能和技术进展对美光和SK海力士的全球DRAM和NAND地位构成竞争压力。
中国的内存供应自给目标威胁现有厂商利润,可能重塑全球HBM和AI加速器内存采购格局。
行业媒体Slicast · 2026年9月21日 UTC 12:19 · 美国 · 来源: TradingView
重要度 65美光科技公司为人工智能和数据中心应用制造存储芯片,包括动态随机存储器(DRAM)和高带宽存储器——但该公司现在面临来自中国的新的竞争发展。长鑫存储技术公司(CXMT)已开始量产其第五代DRAM平台,该公司声称与上一代产品相比,每个晶圆的良好芯片产量至少提高50%。该公司还推出了两款24千兆位LPDDR5X处理器,专为移动和便携式设备设计。
这一进展可能会对美光和SK海力士在传统DRAM领域施加压力。据TrendForce数据,CXMT在2026年第二季度占全球DRAM收入的9.5%,而美光为23.3%,SK海力士为24.9%。
目前竞争重叠仍然有限。CXMT的最新产品主要针对移动和传统DRAM,而美光和SK海力士则在将产能转向用于人工智能系统的高带宽存储器(HBM)和高容量服务器存储器——这一区分具有重要意义。如果CXMT从移动DRAM扩展到服务器存储器和更先进的产品,对这两家公司的威胁将大幅增加。
华尔街对这两家现有厂商保持看涨态度。据TipRanks数据,分析师看好美光上升54.01%的潜力和SK海力士上升33.17%的潜力,这反映了对它们市场地位的持续信心。投资者现在的关键问题是CXMT是否能将其改进的晶圆效率转化为对全球存储芯片巨头更广泛的挑战。