2026年10月15日星期四
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MemSilicon完成了其所称国际首款高密度、大容量1T4R 1Gb RRAM芯片的流片,与标准互补金属氧化物半导体工艺兼容的1TnR技术路线研发提速。

基于标准工艺的1Gb RRAM流片表明,非易失性存储可能成为人工智能边缘计算与存内计算的替代方案,但它并非高带宽内存(HBM),短期内无法缓解加速器内存供应紧张。
行业媒体Slicast · 2026年10月14日 UTC 06:24 · 中国 · 来源: 量子位
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