美国能源部向Wolfspeed授予$1.5B条件贷款，用于扩大国内SiC和GaN半导体生产，支持国防供应链韧性。

芯片制造商Wolfspeed已获得美国国防部最高15亿美元的条件性30年贷款承诺。

这笔资金将支持美国本土的碳化硅(SiC)材料和宽禁带功率器件的开发与生产，并特别关注美国国家安全应用。该公司还将利用这笔融资升级其氮化镓(GaN)外延工艺能力以支持下一代通信基础设施和电子战系统，并为现有的SiC产品和未来的GaN产品开发抗辐射能力。

贷款协议需受到实质性尽职调查和众多条件的限制，包括协议的谈判与最终确定、重大成交条件、政府授权与批准、拨款以及所需的第三方同意。Wolfspeed还需要向国防部发行基于VWAP的认股权证，用于购买最多相当于Wolfspeed完全稀释权益7.5%的股份，认股权证将随着融资分期到位而按比例发行。

碳化硅是硅和碳在化学合成下形成的结晶化合物，相比传统硅在功率应用中具有多项优势。该材料具有更好的热导率、更高的开关速度和更低的功耗，特别适合用于制造高压功率器件。

氮化镓(GaN)是一种宽禁带材料，能够处理高于硅的功率水平，使基于GaN的芯片相比硅基芯片具有更高的效率和耐久性。

Wolfspeed首席执行官罗伯特·费尔勒表示："SiC和GaN具有重要的国家安全应用。通过这笔融资，公司将处于良好的位置，不仅能继续为国防部服务，还能为美国整体国家安全扩展其能力。"

"我们认为这份条件性承诺的规模和30年期限反映了Wolfspeed在美国建立的技术和制造能力的长期重要性。这笔融资将加强我们在碳化硅材料和宽禁带功率器件方面的持续进步，强化我们建立一个更具韧性的美国半导体和防务工业基础的努力。"

Wolfspeed成立于1987年的北卡罗来纳州，是全球领先的碳化硅晶圆和器件制造商。近年来，公司面临150毫米晶圆需求下降的困境。2025年1月，公司将位于德州达拉斯附近的工厂以不公开的价格挂牌出售。该公司于2025年6月根据与债权人的重组协议申请了第11章破产保护，并于2025年9月完成了财务重组。