美光计划将其高带宽内存产量翻倍，以满足激增的AI加速器需求。

美国内存芯片制造商美光计划到2026年底将高带宽内存（HBM）的月产量提高至约10万片晶圆，高于2025年的4万至5万片。据9月4日报道，此次扩产是在人工智能芯片需求持续制约全球HBM供应的背景下进行的。

为支持这一产能提升，美光已向HBM设备供应商追加订单，并在台湾和新加坡的制造基地安装新机器。该公司还打算专门针对英伟达的Vera Rubin平台增加12层HBM4的生产。

12层HBM4架构在单个封装内堆叠了更多的动态随机存取存储器（DRAM）裸片，从而提升了AI加速器的密度和带宽。英伟达将Vera Rubin描述为其下一代数据中心AI平台。

行业估计，三星电子和SK海力士的月产量均达到15万至20万片晶圆。与此同时，Counterpoint Research预测，到2026年第二季度，SK海力士将占据全球HBM市场50%的份额，其次是三星电子占32%，美光占18%。

来源：财联社