首页 › 芯片与硬件 › 报道芯片与硬件 · 报道Intel与SK Hynix正探索在美国建立联合或平行的DRAM生产基地,以为AI工作流保障内存供应。通过本地化先进封装与制造环节,缓解HBM及高带宽内存的潜在瓶颈,降低地缘政治供应链风险。行业媒体Slicast · 2026年9月16日 UTC 12:59 · 美国 · 来源: TechPowerUp重要度 65阅读原文分享本文涉及的公司SK HynixIntel资本开支历史 →深度解读评论员CXMT vs SK Hynix vs 三星:谁主导AI内存供应评论员SK海力士主导Vera Rubin HBM4供应,但英伟达自研基座die或将重塑利润归属相关报道芯片与硬件SK Hynix正与Intel积极磋商,在美国建立内存芯片制造业务,可能利用Intel的俄亥俄州工厂或与其他超大规模云服务商成立合资企业。2026-09-17芯片与硬件SK Hynix正在复制Samsung的美国本土半导体战略,在美国晶圆厂内扩大AI内存产能。2026-09-17芯片与硬件英特尔(INTC)股价上涨 5%,此前有报道称海力士(SK Hynix)正考虑利用英特尔俄亥俄晶圆厂进行美国内存芯片生产。2026-09-17芯片与硬件英伟达在MLPerf 6.1中凭借Blackwell及其首次提交的Vera Rubin保持强劲地位,AMD则对512个MI355X GPU集群进行了基准测试,英特尔也提交了Arc Pro和Xeon。2026-09-17芯片与硬件据报道,Intel首席执行官Lip-Bu Tan已将14A节点的风险生产提前至2027年第一季度,缺陷密度指标正接近目标。2026-09-17