ChangXin Memory invests 18 billion yuan (~$2.5 billion) in DRAM research and development.

Changxin Memory Technologies (CXMT)가 초과 IPO 자금의 일부를 사용하여 180억 위안(26억8천만 달러) 규모의 두 가지 신규 프로젝트에 자금을 지원할 계획이라고 발표했습니다. 이 조치는 회사가 연구개발 노력을 심화하고 사내 테스팅 역량을 강화하면서 제품 라인업을 확대하고 산업 체인 통합을 추진하려는 의지를 나타냅니다.

CXMT는 잉여 자금 130억 위안을 신규 기술 R&D 프로젝트에 투자할 계획이며, 추가 50억 위안은 완전 자회사인 ChangXin Storage Products (Hefei) Co.의 2단계 스토리지 웨이퍼 백엔드 테스팅 베이스를 위해 자본 주입 및 주주 대출을 통해 지원할 것입니다. 합계 투자는 단순히 웨이퍼 제조 역량을 추가하는 것이 아니라 R&D와 백엔드 테스팅에 중점을 두고 있으며, 회사는 이 두 영역이 빠르게 진화하는 메모리 시장에서 장기적 경쟁력을 유지하는 데 중요하다고 생각합니다.

이 기술 R&D 프로젝트는 주로 제품 및 공정 개발에 사용될 것입니다. DRAM (dynamic random-access memory) 기술 및 제품 설계의 반복 주기를 가속화하고 CXMT가 다운스트림 애플리케이션 수요를 더 잘 충족하고 변화하는 기술 패러다임에 적응하도록 돕기 위해 마련되었습니다. 회사는 연구에 지속적인 투자가 공정 기술의 세대별 발전을 주도하고 메모리 밀도를 개선하며 전력 소비를 줄이고 성능을 높이기 위해 필수적이라고 말했습니다. 이러한 노력은 고객 필요를 충족할 뿐만 아니라 더 강력한 경쟁 해자를 구축하고 시장 변동성에 대한 회복력을 개선하는 데 필요합니다.

두 번째 프로젝트인 허페이의 백엔드 테스팅 및 모듈 조립 시설은 총 108억 위안의 투자와 37개월의 건설 기간이 필요합니다. DRAM 칩에 대한 테스팅 서비스와 모듈 조립을 제공하는 테스팅 공장을 건설할 것입니다. CXMT는 백엔드 테스팅이 DRAM 생산에 있어 중요하지만 전문화된 단계라고 말했습니다. 생산량이 증가하고 제품 카테고리가 확대되면서 회사는 외부 위탁 패키징 및 테스팅 제공업체로부터의 병목과 외부 공급업체의 불충분한 매칭 투자에 직면할 수 있습니다. 자체 테스팅 역량을 구축함으로써 CXMT는 테스팅이 생산의 제약이 되는 것을 방지하고 공급 체인 보안을 개선하며 테스팅 비용을 낮추고 운영 효율성과 테스팅 기술을 향상시킬 수 있습니다. 이 조치는 통합 장치 제조업체(IDM) 스타일의 모델을 더욱 지원할 것입니다.

6월 30일 현재 CXMT는 국내 특허 4,484건과 해외 특허 3,400건을 보유하고 있으며, 7,491명의 R&D 직원이 전체 인력의 33% 이상을 차지합니다. 회사는 이미 5세대 공정 기술 플랫폼의 양산을 달성했으며, 제품은 DDR5, LPDDR5/5X, LPDDR6을 포함합니다. 로이터의 9월 18일 보도에 따르면 CXMT는 베이징의 새로운 플랜트에 NAND 플래시 메모리 R&D 생산 라인을 구축할 계획이며, 인공지능 시스템 및 슈퍼컴퓨터에 사용되는 스토리지 제품을 위해 NAND 칩을 구매하려는 새로 설립된 스타트업을 포함한 고객들과 NAND 계획에 대해 논의했습니다.

통신 및 기술 정책 분야의 베테랑 옵저버인 Xiang Ligang은 Global Times에 CXMT의 최근 조치가 중국의 메모리 칩 산업이 새로운 발전 단계로 진입하면서 보다 성숙하고 전략적인 접근 방식을 반영한다고 말했습니다. AI 서버로부터의 수요 급증으로 글로벌 메모리 시장이 회복되고 있는 가운데, CXMT가 단순히 역량 확대를 서두르기보다는 공정 연구개발 및 백엔드 지원에 더 많은 자본을 투입하기로 결정한 것은 점점 "현명하고 신중한" 결정으로 보입니다. 회사는 기존 생산 라인을 통해 제품 성능을 개선함으로써 고마진 AI 메모리 시장에 진입할 준비를 하는 한편 외부 병목 현상에 대한 의존도를 줄이기 위해 테스팅 및 모듈 조립 역량을 강화하고 있습니다.