长鑫存储投入 180 亿元人民币用于 DRAM 研发。

长鑫存储科技（CXMT）宣布将使用部分超额首次公开发行所得资金，用于资助两项总值18亿元人民币（26.8亿美元）的新项目。此举凸显了该公司深化研发力度和加强内部测试能力的决心，以便加速扩大产品阵容和产业链一体化。

CXMT计划将13亿元的超额资金投入到新技术研发项目中，另外5亿元将通过资本注入和股东贷款的方式注入其全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司，用于建设二期存储晶圆后端测试基地。这笔联合投资不会简单地增加晶圆制造产能，而是着重于研发和后端测试——该公司认为这两个领域对于在快速发展的存储市场中维持长期竞争力至关重要。

技术研发项目主要用于产品和工艺开发。其目的是加速DRAM（动态随机存储器）技术和产品设计的迭代，帮助CXMT更好地满足下游应用需求并适应不断变化的技术范式。该公司表示，持续的研究投资对于推动工艺技术的代际进步、提高存储密度、降低功耗和提升性能至关重要。这些工作不仅是为了满足客户需求，更是为了建立更强的竞争壁垒并增强抵御市场波动的韧性。

第二个项目是位于合肥的后端测试和模块组装设施，总投资为10.8亿元，建设周期为37个月。它将建设一个测试工厂为DRAM芯片提供测试服务和模块组装。CXMT表示后端测试是DRAM生产中至关重要但高度专业化的环节。随着其产量增长和产品类别扩展，该公司可能会面临来自外包封装和测试供应商的瓶颈以及来自外部供应商不足的配套投资。通过建设自己的测试能力，CXMT旨在防止测试成为生产的制约因素，提高供应链安全性，降低测试成本，提升运营效率和测试技术。此举将进一步支持其集成器件制造商风格的经营模式。

截至6月30日，CXMT拥有4,484项国内专利和3,400项海外专利，其中7,491名研发员工占其员工总数的33%以上。该公司已经实现其第五代工艺技术平台的批量生产，产品涵盖DDR5、LPDDR5/5X和LPDDR6。根据路透社9月18日的报道，CXMT计划在其位于北京的新工厂建设NAND闪存芯片的研发生产线，已与包括一家新成立的初创公司在内的客户讨论其NAND计划，该初创公司打算购买用于人工智能系统和超级计算机存储产品的NAND芯片。

资深电信和科技政策观察人士向全球时报表示，CXMT的最新举措反映了中国存储芯片产业进入新发展阶段时的更成熟、更具战略眼光的做法。随着全球存储市场因AI服务器需求激增而反弹，CXMT决定将更多资本投向工艺研发和后端支撑，而不是单纯地仓促扩产，这样做显得越来越"明智和谨慎"。通过改进现有生产线的产品性能，该公司不仅在为进入高利润率的AI存储市场做准备，还在加强其测试和模块组装能力，以减少对外部瓶颈的依赖。