ChangXin Memory Technologies (CXMT)가 용량 확장을 위한 CNY 24.1 billion 규모의 capex를 발표했으며 자체 DRAM 테스팅 역량을 구축 중입니다.

중국 메모리 칩 제조사 ChangXin Memory Technologies는 9월 28일 신규공개(IPO) 수익금 중 180억 위안(약 27억 달러)을 총 계획 투자액 349억 위안(약 52억 달러)에 달하는 두 가지 주요 프로젝트에 배치하고 있다고 발표했습니다.

첫 번째 프로젝트는 총 계획 투자액 241억 위안(약 36억 달러)에 달하는 기술 연구개발 프로그램이며, IPO 수익금 130억 위안과 나머지는 회사 자체 자본으로 조달됩니다. ChangXin에 따르면 핵심 경쟁력을 유지하기 위해서는 제품 및 공정 기술의 끊임없는 발전이 필수적입니다. 다양한 기술 경로를 보유한 복잡한 산업 환경에 직면하면서 회사는 공정 기술의 세대 진화를 추진하기 위해 연구개발에 투자해야 하며, 새로운 제품이 저장 밀도, 전력 소비 제어, 읽기/쓰기 성능에서 질적 도약을 달성하도록 보장해야 합니다. 회사는 이것이 시장 수요를 충족하고 지속 가능한 경쟁 우위를 구축하는 데 필수적이라고 밝혔습니다. 이 투자를 통해 ChangXin은 기술 리더십을 유지하면서 더욱 신속하게 더 강한 성능과 경쟁력을 갖춘 제품을 출시하는 것을 목표로 합니다.

두 번째 프로젝트는 완전 자회사 ChangXin Storage Products (Hefei)가 실행하며, DRAM 웨이퍼 백엔드 테스트 및 모듈 조립 시설을 건설합니다. 본 프로젝트의 총 계획 투자액은 108억 위안(약 16억 달러)이며, IPO 수익금 50억 위안(약 7억 4,620만 달러)이 투입됩니다.

테스트는 DRAM 생산의 필수 불가결한 부분이지만, 테스트 장비의 특수성으로 인해 회사의 생산 능력이 증가하고 제품 다양성이 확대됨에 따라 테스트 용량 부족 및 외부 OSAT 공급업체의 지원 부족에 직면할 수 있습니다. 테스트가 병목 현상이 되는 것을 방지하고 공급망 보안을 보장하기 위해 회사는 사내 테스트 능력을 대폭 확대해야 합니다. 자체 메모리 웨이퍼 백엔드 테스트 및 모듈 조립 운영을 구축함으로써 ChangXin은 테스트 이용률을 보다 유연하게 조정하고, 원가를 절감하며, 운영 효율성과 테스트 기준을 개선하고, 통합 소자 제조업(IDM) 모델을 한층 강화할 수 있습니다.

ChangXin의 IPO는 총 666억 700만 위안(약 99억 달러)의 수익금을 조달했으며, 발행 비용을 차감한 순수익금은 663억 100만 위안입니다. 현재 IPO 수익금 중 180억 위안의 배치는 순수익금의 약 27%에 해당합니다.

시장 관찰자들은 연구개발 및 테스트 능력에 대한 대규모 투자가 DRAM 수요 전망에 대한 회사의 긍정적 전망과 미중 기술 경쟁 심화 속에서 공급망 자율성을 강화하려는 결의를 반영하고 있다고 봅니다. 합페이에 본사를 두고 상하이 증권 거래소의 STAR 마켓에 상장된 ChangXin Memory Technologies는 중국의 메모리 산업 자급률 달성 추진에서 핵심 세력으로 평가받고 있습니다. Samsung Electronics, SK Hynix, Micron이 지배하는 글로벌 시장에서 이러한 투자들은 국제 선도 기업과의 기술 및 규모 격차를 좁히는 데 도움이 될 것으로 예상됩니다.