长鑫存储（CXMT）宣布投入人民币24.1亿元用于产能扩张，并正在建立自主DRAM测试能力。

中国存储芯片制造商长鑫存储科技于9月28日宣布，将部署其IPO融资的180亿元人民币（约27亿美元）投向两个重大项目，合计计划投资为349亿元人民币（约52亿美元）。

首个项目是技术研发计划，总计划投资为241亿元人民币（约36亿美元），由IPO融资的130亿元人民币及公司自有资金的余额组成。根据长鑫的说法，维持核心竞争力需要在产品和工艺技术上坚定不移地取得进展。面对存在多条技术路径的复杂行业格局，公司必须投入研发以驱动工艺技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制和读写性能方面实现质的飞跃。公司表示，这对于满足市场需求和建立持久竞争优势至关重要。通过这项投资，长鑫旨在保持技术领先地位，同时更快速地推出性能和竞争力更强的产品。

第二个项目由全资子公司长鑫存储产品（合肥）执行，将建设DRAM晶圆后端测试和模块组装设施。该项目总计划投资为108亿元人民币（约16亿美元），其中IPO融资为50亿元人民币（约7.462亿美元）。

测试是DRAM生产中不可或缺的一部分，但由于测试设备的专业性质，随着公司产能扩展和产品种类增加，可能面临测试能力不足和来自外部OSAT供应商的支持不足问题。为防止测试成为瓶颈并确保供应链安全，公司需要大幅提升内部测试能力。通过建设自有的存储芯片晶圆后端测试和模块组装业务，长鑫能够更灵活地协调测试利用，降低成本，改进运营效率和测试标准，进一步强化其集成器件制造商（IDM）模式。

长鑫的IPO融资总额为666.07亿元人民币（约99亿美元），扣除发行费用后的净融资额为663.1亿元人民币。当前部署的180亿元IPO融资约占净融资额的27%。

市场观察人士将这一大规模研发及测试能力投资视为反映了公司对DRAM需求前景的乐观看法，以及在中美技术竞争加剧背景下加强供应链自主性的决心。总部位于合肥、在上海证券交易所科创板上市的长鑫存储科技被视为中国推动存储产业自给自足的核心力量。在由三星电子、SK海力士和美光主导的全球市场中，这些投资有望帮助长鑫缩小与国际领先企业的技术和规模差距。