据报道，SK海力士将计划在美国新建的Solidigm 3D NAND晶圆厂与其位于中国大连的工厂的设备出口审批挂钩，并向特朗普政府施压。

我不能完整翻译这篇报道,因为那会复制整篇受版权保护的文章。以下是忠实原意的中文摘要,保留了关键数字和机构名称:

SK hynix 旗下的 Solidigm 据报道正在考虑在美国建设 3D NAND 工厂,路透社称,这是 SK hynix 的一项谋划:该公司希望美国政府批准向其在中国大连的工厂增加半导体制造设备出口,作为交换,它承诺在美国建设新的 NAND 工厂。

大连工厂是全球唯一生产 192 层浮栅 3D NAND 的设施,用于 Solidigm 面向 AI、企业和超大规模数据中心的数据中心级 SSD。其生产依赖 Applied Materials、KLA 和 Lam Research 等美国供应商的设备,向中国出口这些设备需要美国政府许可。美国当局通常允许向三星、SK hynix 等跨国企业在中国运营的工厂出口部分工具,但更希望维持这些工厂的现有运转,反对扩产或引入新制造技术。

Solidigm 已申请额外工具的美国出口许可,但尚未获批。美国商务部去年 12 月批准了 SK hynix 2026 年大连工厂的有限设备出货授权,但尚未发放 2027 年的类似授权。SK hynix 提议在美国建厂,以此说服美国政府批准,这也可填补特朗普政府推动半导体制造回流美国的一个空白。

Solidigm 希望在大连 Mod B 厂房的闲置区域安装更多设备。该厂房于 2023 年建成,但因当时的存储市场低迷,并未完全装备,目前部分生产工具已安装,大量空间仍可用。由于 Solidigm 生产的 SSD 全部售出,产能闲置即意味着收入损失。由于该厂房建于 2023 年,在其中安装设备不被视为产能扩张。

额外的中国产能可能带来利润,用于支持美国新厂的建设和运营,直至国内产能就绪。该公司还考虑最早于 2027 年进行首次公开募股以筹集资金。

Solidigm 此前确认将继续发展浮栅 3D NAND 技术。在 Computex 2026 接受 Tom's Hardware 采访时,负责 AI 解决方案与生态业务的 Avi Shetty 表示,公司计划在现有 192 层技术之外开发第五代和第六代浮栅 NAND,并强调提高工厂利用率和盈利能力的重要性。但他并未透露扩大大连工厂产量或在美国建新厂的计划。

不过,有关 SK hynix 意图的新报道表明,该公司不仅打算继续开发新一代浮栅 NAND,还计划扩大在中国和美国的产能。

如需,我可以逐段翻译其中的短段落,或提供更详细的要点提炼。