中国正加快国内深紫外(DUV)光刻芯片生产能力，降低对ASML依赖，推动中国芯片制造商实现先进工艺自给自足。

全球微影设备领导者阿斯麦(ASML)的股票在有关中国企业已启动深紫外(DUV)光刻工具大规模生产的报道后应声下跌。

7月1日，中国社交媒体微信上的一个专注半导体的媒体账号报道称，上海微电子装备有限公司(SMEE)正在开发28纳米级深紫外光刻机。随后在7月27日，彭博社引述IT媒体《The Information》的报道称，一家总部位于上海的国有半导体设备企业已启动浸液式深紫外光刻工具的大规模生产。虽然该企业身份未被正式披露，但报道指出该企业计划在今年生产约5套系统，明年约20套。

这些设备计划供应给包括中芯国际(SMIC)、长鑫存储技术(CXMT)和华虹半导体等主要中国芯片制造商。由于受美国出口管制无法获得极紫外(EUV)工具，中国芯片制造商计划通过在浸液式深紫外设备上应用多重图形化工艺来维持智能手机和人工智能芯片的生产。

这一举措似乎不是单一企业的努力，而是一个本地化产业联盟。据《The Information》报道，开发工作是通过围绕微亮星(Weiliangxing)整合多家中国企业的深紫外研发业务而进行的。业内人士指出，参与方包括芯开来(Xinkailai)、SMEE、华为和清华大学研究团队。芯开来是一家由华为前员工创办的半导体设备制造商，被视为中国政府半导体自主自强战略中的关键企业。

光刻工具是半导体制造的关键设备，通过将光投影到晶圆上以形成电路。根据工艺微缩能力，工具分为极紫外(EUV)和深紫外(DUV)系统两类，其中深紫外主要用于10纳米及以上的工艺。虽然极紫外主导最先进的节点工艺，但深紫外在成熟节点和部分先进工艺中仍保持稳定需求。

阿斯麦股票在新闻发布当日下跌8.4%。尽管美国对华半导体出口管制依然存在，但投资者情绪似乎受到了中国在开发国产光刻工具方面取得进展的预期影响。

自2019年以来，美国一直施压荷兰政府限制阿斯麦向中国出口极紫外光刻工具，并在2023年将最先进的浸液式深紫外工具纳入管制范围。美国最近还在推动"匹配法案"(MATCH Act)，该法案将限制对已交付至中国的深紫外工具的零部件供应和维护服务。

然而，行业分析仍认为中国制造设备与阿斯麦产品之间存在显著的技术差距。阿斯麦年产超130台浸液式深紫外系统，而中国设备今年的生产目标仅约5台。技术水平相当于阿斯麦早期一代浸液式深紫外系统，分析指出还需经过多年的开发才能弥合精密度、生产良率和设备可靠性方面的差距。

同时，业界预计中国领先DRAM制造商长鑫存储技术的首次公开募股将对中国半导体设备生态的增长产生积极影响。

美瑞兹证券分析师崔雪花(Choi Seol-hwa)表示："长鑫存储的上市具有超越融资的意义。随着长鑫存储在大规模生产线上应用国产设备，并改进生产良率、降低错误率，中国设备制造商可以积累大规模生产经验和学习效应，缩小与全球企业的技术差距。"