Nvidia的NVHBM策略利用基座die成本是核心die的3-4倍这一事实来捕获HBM的大部分价值，实际上将SK Hynix、Micron和Samsung推向商品化定价。

英伟达（NVIDIA）似乎决心打破由三星、SK海力士和美光这所谓的“三大”内存制造商维持的高带宽内存（HBM）寡头垄断局面。该公司正部署其新发布的NVHBM DRAM解决方案，作为在该领域引发范式剧变的战略工具。

据近期报道详述，英伟达已正式推出其NVHBM架构。其战略杠杆作用在于HBM制造背后的经济逻辑。目前，采用台积电12纳米工艺制造的基片成本是相应DRAM核心晶片的三到四倍。若转向5纳米工艺，这一成本差距将进一步扩大。正如行业分析所指出的：“如果台积电12纳米基片的成本已经是DRAM核心晶片的三到四倍，那么转向5纳米工艺将使这一差距进一步拉大。HBM账单中的更多部分将落在逻辑层：控制器、接口和定制IP，而非存储晶片。这正是NVHBM的核心所在。”这种刻意进行的价值重新分配是英伟达架构战略的关键。

反映这些不断变化的经济状况，最近的报告显示，SK海力士正在积极评估将其HBM基片制造从台积电迁至英特尔，以减轻制造费用。该内存制造商目前在台积电的12纳米工艺上生产这些基片，其生产成本比标准DRAM晶片高出三到四倍。

由于基片占据了任何给定HBM堆栈中大部分的经济价值，英伟达的NVHBM代表了一种精心计算的策略，旨在从传统的“三大”厂商手中夺取市场主动权。通过将定价权转移给控制器的掌控者，英伟达实质上使底层DRAM产品商品化，同时确立了其在HBM供应链中最有利可图领域的统治地位。