AI建设维持结构性需求底线，记忆市场周期终结。

内存市场——包括动态主存（DRAM）和闪存持久存储——已被GenAI热潮彻底改变。快速、大容量的内存从未如此受欢迎，将每一代DRAM和闪存大规模投入生产也从未如此困难和昂贵。

这些条件为企业内存制造商创造了难得的机遇：三大DRAM生产商（韩国三星和SK海力士、美国美光科技，以及中国长鑫存储科技）和四家企业闪存制造商（三星、SK海力士、美光和铠侠/西部数据）现在面临五十年来未曾出现过的可能性——能够产生稳定、可预测的利润，无需经历周期性的繁荣与衰退。

内存的总寻址市场继续攀升，部分由容量增长驱动，但主要由超大规模计算商、云建设商和AI开发者愿意为内存支付的价格推动。需求没有减弱迹象，替代品不存在，价格因此继续上升。

美光最近的举动说明了结构性转变：与其十六家最大客户签订的五年协议锁定了超过1000亿美元的收入和220亿美元的预付现金。但是，这些积压订单仅代表美光到2030年DRAM产能的20%和闪存产能的33%——其余部分根据需求以不断上升的价格销售。由于美光预测需求将在2027年后超过供应，内存价格将继续上升，市场也将随之扩大，尽管制造产能仅以每年20%的速度增长。

只要GenAI热潮持续，内存产业历史上的繁荣与衰退周期就会结束。然而，一旦泡沫破裂，动态会完全反转。在此之前，内存可能会在服务器物料清单中占据比CPU更大的份额，甚至可能超过闪存。

美光截至五月的2026财年第三季度财报体现了这一意外之财。该公司创造了414.6亿美元的营收——是去年同期的4.5倍，比2026财年第二季度高73.7%。营业收入激增至333.2亿美元，同比增长15.4倍，净收入达到282.4亿美元，增幅为14倍。这一增长的大部分并非来自销量——DRAM和NAND产能仅增长20%至25%——而是来自需求向高边际利润产品的转变（DRAM优于NAND、HBM优于标准DRAM）以及全面的价格上升。

这种规模的回报让人想起1525年西班牙发现波托西银矿——一场财富激增引发全球通货膨胀，却催化了第一波国际贸易浪潮。美光投入71亿美元的资本支出以扩大产能，同时以301亿美元的现金结束本季度，不计来自十六个客户合同的预付款。资本支出的增长幅度远小于收入和利润增长；由于竞争对手三星和SK海力士也在采取类似的定价策略，美光几乎没有动力积极建设新的代工厂产能。

按产品细分美光的业绩：DRAM销售额达到313.3亿美元（同比增长4.3倍，环比增长66.9%），而NAND闪存驱动了99.4亿美元，其中50亿美元来自企业级芯片和驱动器。用于BIOS/UEFI和专用冷存储应用的NOR闪存产生了1.85亿美元的收入——同比增长2.5倍，环比几乎翻倍。

按业务部门划分，销售HBM堆叠内存和低功耗LPDDR的云内存组录得137.7亿美元的销售额（同比增长4倍），营业收入107.4亿美元（同比增长5.9倍）。处理企业闪存和标准服务器DRAM的核心数据中心组实现了115.2亿美元的销售额（同比增长7.5倍）和惊人的95.7亿美元的营业收入——同比增长31.3倍——证明了通过机会性定价的激进边际利润扩张。

美光不再单独报告HBM收入，但分析表明2026财年第三季度HBM销售额约为119.8亿美元（同比增长7.1倍，环比增长81.9%）。高容量服务器DRAM贡献了64.8亿美元（同比增长5.4倍）。合计之下，高端内存产品——HBM、高容量服务器内存和LPDDR——产生了184.6亿美元的销售额，同比增长6.4倍。所有其他DRAM共计128.7亿美元，增幅为3.1倍。

美光在其投资者电话会议中更新了HBM总寻址市场预测。在2026年至2030年期间，HBM总TAM约为7240亿美元——高于2024年12月的约3430亿美元，在十八个月内增长了2.1倍。这一增长反映了销量增加，但更主要地反映了由AI加速器需求驱动的价格溢价。

展望2026财年第四季度，美光预计收入约为500亿美元，上下浮动10亿美元。利润几乎肯定会比收入增长更快。