SK Hynix正将印第安纳州定位为到2030年其主要的高带宽内存美国制造基地。

随着全球对人工智能内存的需求持续给供应链带来压力，SK海力士正在扩大其在美国的业务布局，计划在印第安纳州建设一座耗资40亿美元的高级封装工厂。该公司表示，该基地旨在支持美国本土半导体供应链，并力争到2030年将印第安纳州打造为美国高带宽内存（HBM）的主要生产基地。

该项目侧重于封装而非前端制造，这意味着在韩国和中国制造的内存芯片将在美国基地进行堆叠和连接。Kwak表示，首个用于封装的洁净室计划于2028年10月启用。

这座占地133英亩的园区于2024年宣布，还将包括研发中心，AI客户将在此与SK海力士合作开发下一代内存设计。公司称，这为开发与使用这些内存的AI加速器相配套的定制芯片创造了机会。

据印第安纳经济发展公司（Indiana Economic Development Corporation）透露，为支持印第安纳州工厂的建设，SK海力士将获得高达4.58亿美元的联邦《芯片与科学法案》（CHIPS Act）资金以及价值高达7.12亿美元的州级激励方案。该公司告诉CNBC，该设施预计将创造约1,000个直接就业岗位，另有6,000个岗位与建筑施工及商业合作伙伴相关。

我们此前关于SK海力士40亿美元印第安纳州工厂的报道解释了该项目的设计初衷：在AI数据中心支出收紧全球供应的背景下，增加美国高带宽内存（HBM）封装产能和AI半导体研发中心。我们曾指出，项目时间表显示洁净室运营将于2028年下半年启动，同时预计将为当地带来数千个工作岗位，并通过《芯片与科学法案》激励措施获得支持。