Intel Foundry与ASML合作推进专为下一代AI芯片设计的高数值孔径极紫外光刻技术。

英特尔公司（INTC）正加强与阿斯麦（ASML）的联盟，以推进高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻技术的发展。阿斯麦最近宣布承诺与主要半导体制造商——英特尔、英伟达（NVDA）、台积电（TSM）和三星电子——合作，创新更大尺寸的光掩模技术。这一举措旨在加速开发专为制造大规模人工智能（AI）和数据中心芯片量身定制的下一代高数值孔径EUV系统。

目前，阿斯麦的标准EUV光刻设备可生产约800平方毫米的芯片。来自英伟达等领先企业的高端处理器已接近这一极限，凸显了进一步改进的必要性。虽然尖端的高数值孔径EUV提供了更高的制造精度，但其生产与现代大型AI创新相匹配的表面面积芯片的能力，目前受到现有光掩模尺寸限制的影响。

为解决这一技术挑战，阿斯麦正在开发更大的光掩模技术，使高数值孔径EUV系统能够制造大型数据中心芯片。阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示：“行业成功过渡到这一升级可能会将高数值孔径EUV系统的生产效率提高约40%。”该公司计划在2031年前展示一条试点生产线，并力争在2033年实现量产准备就绪。

英特尔在高数值孔径EUV的应用方面处于领先地位，是阿斯麦的重要盟友。值得注意的是，2024年英特尔成为全球首家在美国俄勒冈州安装商用高数值孔径EUV系统的公司。此外，今年7月，英特尔代工利用这项先进技术，基于Intel 18A工艺节点生产了部分Panther Lake处理器，并开始产品发货。迄今为止，英特尔已通过高数值孔径EUV技术处理了超过100万片300毫米晶圆，包括用于工具验证、研发以及实际生产的晶圆。

尽管继续使用标准尺寸的光掩模并通过复合技术巧妙构建更大尺寸的芯片，英特尔也在积极参与下一代大尺寸光掩模解决方案的发展。阿斯麦强调，大尺寸光掩模技术的成功实现不仅会扩大高数值孔径EUV可制造的芯片尺寸，还将提升约40%的生产效率，这与该公司向2031年试点生产线和2033年量产可行性迈进的战略路线图相一致。

来源：Tradingkey.com | 报道者：Souvik Banerjee，RS Web Solutions (RSWEBSOLS) 市场经理