인텔 파운드리와 ASML은 차세대 AI 칩을 위해 고NA EUV 리소그래피 능력을 발전시키기 위해 파트너십을 맺었다.

인텔(Intel Corporation, INTC)은 차세대 고NA 극자외선(EUV) 리소그래피 기술 발전을 위해 ASML(ASML)과의 제휴를 강화하고 있다. ASML은 최근 인텔, 엔비디아(Nvidia, NVDA), TSMC(TSM), 삼성전자 등 주요 반도체 제조업체들과 협력하여 더 큰 포토리소그래피 마스크 기술을 혁신하기로 했다고 발표했다. 이 계획은 대규모 인공지능(AI) 및 데이터센터 칩 제조에 특화된 차세대 고NA EUV 시스템의 개발을 가속화하는 것을 목표로 한다.

현재 ASML의 표준 EUV 리소그래피 장비는 약 800제곱밀리미터 크기의 칩을 생산할 수 있다. 엔비디아와 같은 선도 기업의 최상위 프로세서는 이미 이 한계에 근접해 있어, 추가적인 성능 향상이 절실한 상황이다. 첨단 고NA EUV는 제조 정밀도를 높여주지만, 기존 포토리소그래피 마스크의 치수 제한으로 인해 현대식 대형 AI 칩과 동일한 표면적을 가진 칩을 생산하는 능력에는 아직 제약이 따르고 있다.

이러한 기술적 과제를 해결하기 위해 ASML은 더 큰 포토리소그래피 마스크 기술을 개발 중이며, 이를 통해 고NA EUV 시스템이 대형 데이터센터 칩을 제조할 수 있도록 할 계획이다. ASML의 최고기술책임자(CTO) 마르코 피터스(Marco Pieters)는 “산업계가 이 업그레이드로 성공적으로 전환한다면 고NA EUV 시스템의 생산 효율성을 약 40%까지 높일 수 있을 것”이라고 밝혔다. 회사는 2031년까지 시범 생산 라인 시연을 목표로 하고 있으며, 2033년에는 양산 준비를 완료하겠다는 야망을 가지고 있다.

인텔은 고NA EUV 도입 분야에서 선두주자 역할을 하며 ASML에게 중요한 파트너다. 특히 2024년 인텔은 미국 오리건 주에 상업용 고NA EUV 시스템을 설치한 세계 최초의 기업이 되었다. 또한 올해 7월 인텔 파운드리(Intel Foundry)는 인텔 18A 공정 노드를 활용해 이 첨단 기술을 적용한 팬서 레이크(Panther Lake) 프로세서 일부 제품을 생산했으며, 제품 출하도 시작했다. 지금까지 인텔은 도구 검증, 연구 개발, 실제 생산에 사용된 웨이퍼를 포함해 고NA EUV 기술을 이용해 총 100만 개 이상의 300mm 웨이퍼를 처리했다.

인텔은 현재 표준 크기 포토리소그래피 마스크를 계속 사용하면서도 합성 기법을 통해 대형 칩을 효과적으로 제작하고 있으며, 동시에 차세대 대형 포토리소그래피 마스크 솔루션의 발전에도 적극적으로 참여하고 있다. ASML은 대형 포토리소그래피 마스크 기술이 성공적으로 실현되면 고NA EUV가 제조할 수 있는 칩의 크기를 확대할 뿐만 아니라 생산 효율성을 약 40% 향상시켜, 2031년 시범 라인 및 2033년 양산 가능성 달성에 대한 회사의 전략적 로드맵과 부합할 것이라고 강조했다.

출처: Tradingkey.com | RS Web Solutions(RSWEBSOLS) 마케팅 매니저 Souvik Banerjee 보도