SK Hynix宣布在韩国运营投入7125亿美元，包括新的NAND工厂和DRAM集群扩展。

SK海力士本周宣布在其清州园区追加投资100万亿韩元（640亿美元）用于扩展3D NAND和HBM封装运营。不过，这项巨大承诺只是一个更宏大计划的一部分，该计划包括在韩国各地投资1.1万亿韩元（7125亿美元），其中包括为新的西南部半导体集群投资400万亿韩元（2595亿美元），以及为其龙仁基地投资600万亿韩元（3893亿美元）。

清州投资代表了SK海力士已宣布项目中最详尽的计划。该公司计划建造M17 3D NAND晶圆厂，并扩展HBM后端处理的先进封装能力。M17晶圆厂的建设计划于明年开始，最早预计于2029年开始运营。该晶圆厂的预算约为80万亿韩元（518亿美元），而新的P&T7封装和测试设施估计为20万亿韩元（129.45亿美元）。

清州目前拥有SK海力士的主要3D NAND制造晶圆厂——M11、M12和M15——历来是该公司的主要NAND生产中心。该设施如今也生产HBM堆栈，其中M15X生产DRAM芯片，P&T3进行封装运营。

龙仁半导体集群代表了SK海力士最大的投资承诺，将成为其主要DRAM生产基地。第一家晶圆厂预计于2027年5月开始运营，随后其他晶圆厂依次跟进。由于DRAM晶圆厂通常需要一到一年半的时间才能完全产能爬坡，该设施预计从2028-2029年开始对内存市场产生影响。SK海力士已将所有四家晶圆厂的完工时间提前至2033年，比原定2045年的时间表提前了。该3893亿美元的投资承诺超出了这个完工日期。

西南部半导体集群的预算约为2595亿美元，目前仍处于规划阶段，尚未选定地点。SK海力士将在与中央和地方政府协商的基础上，评估土地可用性、电力、水、运输和其他基础设施要求。该集群被构想为该公司继利川、清州和龙仁之后的下一个主要制造基地。SK海力士指出，必须立即开始筹备，因为开发新的半导体集群——包括地点选择和基础设施——需要多年时间。例如，龙仁集群大约耗时九年才得以开发。

SK海力士并不是唯一扩大国内产能的公司。三星周四宣布计划在韩国忠清地区的运营中投资140万亿韩元（909.8亿美元）。三星显示器将在牙山扩展OLED生产；三星电子将在温阳建立五条HBM生产线，并在天安现代化HBM设施；三星SDI将在天安建立电池生产线以验证下一代技术；三星电机将在世宗扩展AI服务器封装基板制造。