Micron承诺向GlobalWafers德州厂投资5亿美元；目标到2035年占美国DRAM产能40%。

美光向美国半导体供应链承诺投入最多30亿美元，其中5亿美元以战略融资形式投给环球晶圆公司，用于其在德克萨斯州谢尔曼的300毫米原硅晶圆工厂。两家公司将签署为期10年的协议，获取该工厂产能。美光高级副总裁兼首席采购官本·泰索内将此举与确保"关键输入材料"联系在一起。同日，美光在博伊西发布另一项公告，将其计划的美国支出增加到2035年前超过2500亿美元，较之前的2000亿美元有所增加，并提前一个季度在纽约州克莱市的超大规模工厂浇注第一批混凝土。

2035年2500亿美元的支出目标附带一个目标：到2030年代中期，美光40%的DRAM在美国生产。在这2500亿美元中，仅有相对较少的5亿美元被指定用于环球晶圆的晶圆供应——环球晶圆是唯一能够生产300毫米晶圆的美国供应商。

根据市场研究公司摩多情报的数据，全球约85%的300毫米晶圆产能集中在五家供应商手中：日本的信越和Sumco、台湾的环球晶圆、德国的Siltronic和韩国的SK硅晶。两家日本公司占据了其中超过一半。

环球晶圆美国公司于2025年5月以初始投资35亿美元开设了谢尔曼工厂。这是20多年来在美国建设的首个完全集成的300毫米原始晶圆设施，也是唯一能够在国内生产先进300毫米晶圆的芯片法案参与供应商。该工厂获得了商务部芯片法案奖项最多4.06亿美元，于2024年12月敲定，与密苏里州圣彼得堡的绝缘体上硅工厂共享。商务部2022年数据显示，跨越六期园区的全面建设产能约为每月120万片晶圆，目前只有一期在运营。

与此同时，Sumco正在结束其宫崎工厂的200毫米生产，并放缓了新的300毫米扩产。信越和Sumco在2025年增加的先进工艺产能仅满足已签订合同的需求，而非为超前市场做准备。晶圆供应商已按这种方式运营了十年，保护利润率而非追求产量，随着供应商的观望，新产能的资金越来越多地来自客户。

环球晶圆主席兼首席执行官许淑芬在谢尔曼工厂开业时阐述了其扩产条款，宣布为该工厂追加投资40亿美元，并告诉路透社进一步的产能建设取决于前两期实现盈利、客户签署长期合同以及合理的定价、预付款和政府支持。美光的5亿美元融资和十年供应承诺覆盖了大部分条件，许淑芬此后称美光协议是其公司历史上最大的长期交易，并表示第二期谢尔曼工厂现在是必需的。

美光在同一基础上锁定自己的客户，已于7月1日与通用汽车签署战略客户协议，并于7月6日与福特签署——这是该公司在2026财年第三季度财报电话会上提及的16份此类协议中的两份。每份协议都将未来内存产出与具体买方挂钩。

该行业以前曾采用过这种策略。在2017-2018年的内存繁荣期间，芯片制造商签署了预付、必须购买的晶圆协议以保证供应，但当2019年DRAM价格暴跌时，这些预付款成为了资产负债表负债。SK集团主席崔泰元在英伟达GTC大会上向与会者表示，当前晶圆短缺可能持续到2030年，缺口超过20%，这是现在签约的理由。反之，2019年的减记则是反对现在签约的理由。

高带宽内存目前在AI市场中承载最陡峭的溢价，但制造出的晶圆还不是HBM。芯片必须使用先进2.5D方法进行堆叠和封装，配备穿硅通孔，这种产能几乎完全位于亚洲。美光承诺的HBM封装锚是一个大约70亿美元的新加坡设施，将于2026年开始运营。根据2025年6月的美国证券交易委员会备案，该公司将美国HBM封装列为意图，但尚未宣布承诺的地点或日期。

至于已排期的美国封装产能，全部聚集在2028年前后。SK海力士正在印第安纳州西拉法叶建设首个美国2.5D先进封装工厂——约38.7亿美元的项目，量产定于2028年下半年。安靠已将其亚利桑那州皮奥里亚园区扩展至70亿美元，生产定于2028年初。台积电的亚利桑那工厂运营先进工艺逻辑，但还未在美国本土提供高产量2.5D封装；这据报计划于2029年进行。虽然在纽约制造的晶圆和在新加坡封装的晶圆计入国内DRAM，但这不会使成品HBM堆栈国产化。

美光位于弗吉尼亚州曼纳萨斯的工厂于5月开始量产1代DRAM，是仅有的美国制造内存，代表全球供应的约2%。第一个爱达荷州新工厂应于2027年中期达到晶圆产出，第二个于2028年年底，而纽约州克莱市园区预计到2030年前后才能生产。2500亿美元的资本支出数字延伸至那之后五年，而传统DRAM合同价格继续以创纪录的幅度上升——根据TrendForce数据，2026年初环比上升超过90%——制造商不断提价。苹果上月提高了MacBook、iPad和Vision Pro价格，理由是内存成本，上述任何美国产能都不会缓解这样的短缺。

三星和SK海力士在上月宣布的韩国政府协调芯片和AI计划下承诺合计投入8800亿美元，分布在大约十年期间。这笔支出在韩国国内，与三星的370亿美元德州足迹相分离。但与美光的2500亿美元相比，一种模式显现：公司宣布的资本支出超过建设项目物理上能吸收的。

HBM每比特消耗的晶圆面积大约是标准DDR5的三倍，因此转向HBM生产从市场中移除了更多商用内存。DRAM已占全球300毫米产能的约五分之一，内存是300毫米硅的最大单一应用。美光的Sumit Sadana在1月告诉CNBC，该公司最多只能满足某些客户中期需求的三分之二。