TSMC 否认为 NVIDIA 量产 3D DRAM；但据报道将以 3nm 代工 NVHBM 底座 die

11 月 6 日，The Information 报道 TSMC 应 NVIDIA 要求探索 3D DRAM 生产，致 TSM 美股当日涨 6%。11 月 9 日，TSMC 公开澄清称将"专注逻辑芯片代工核心业务"，不涉足 3D DRAM 量产。然而据多家媒体报道，NVIDIA 自定义内存方案 NVHBM 的底座 die（base die）将由 Samsung 与 TSMC 合作在 3nm 工艺制造，属逻辑范畴；NVHBM 声称较标准 HBM4E 带宽提升约 30%，AWS 和 MediaTek 已被报道参与合作方案。TSMC 否认的是"DRAM 本体"而非底座逻辑 die。(英文原标题：*TSMC Denies Plans To Mass Produce NVIDIA's 3D DRAM*) 点评：TSMC 措辞精准划定边界——否认 DRAM 本体但不否认底座 die，这一区分对 Samsung 和 SK hynix 意义深远：一旦 NVHBM 量产，传统 HBM 供应商在 NVIDIA 供应链中的议价空间将被大幅压缩。

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