IBM在第5代FlashCore模块中采用Everspin MRAM技术以提升存储性能。

IBM第五代FlashCore模块(FCM5)采用Everspin磁阻RAM(MRAM)代替超级电容器来防止电源故障期间的数据丢失。FCM5驱动器是计算型SSD,具有硬件压缩、重复数据删除、芯片条纹和网络攻击检测功能。它们使用QLC(4比特/单元)NAND闪存,配备SLC(1比特/单元)传入写入区域,提供五个原始容量点:6.6、12.2、26.4、52.8和105.6TB,最大有效压缩容量分别为19.8、36.6、79.2、158.4和316.8TB。

MRAM在磁隧道结中存储比特,而非作为电荷水平。与NAND闪存不同,MRAM具有非易失性、提供DRAM级别的访问速度(以十纳秒计)、字节寻址和极高的耐久性。在9月于圣何塞举行的SNIA开发者大会上,Everspin研究员Steffen Hellmold就MRAM在数据存储中的应用进行了演讲,强调了其作为小写入应用的理想写缓冲和缓存。该演讲展示了MRAM在IBM FCM5驱动器中如何发挥这一功能。

由于MRAM在断电时保留数据,IBM可以将写入一致性元数据存储在MRAM中,而不是依赖超级电容器在电源故障期间将该数据写入NAND。这种方法消除了对以前由超级电容器占用的物理空间的需求,使IBM能够在FCM5板上配置更多NAND芯片并增加整体容量。

这种集成的证据出现在IBM FlashCore Module(FCM)产品指南Redbook的第21页,其中的板卡示意图显示Everspin芯片位于AMD处理器芯片上方的右上方。IBM多年来在FlashCore模块中使用了数百兆字节的Everspin MRAM,作为小型非易失性写缓存和日志。2024年4月,Everspin宣布IBM选择了其PERSYST EMD4E001G 1 Gb STT-MRAM芯片用于FlashCore Module 4驱动器的掉电数据保护。早期的FCM3一代为此目的最多使用了128 MB的Toggle MRAM。

Everspin向2000多个客户供应MRAM,在20年的生产中已出货超过2亿颗芯片。戴尔和LSI/Avago等公司在某些RAID控制器中使用Everspin MRAM。Steffen Hellmold是Everspin的研究员,也是先进档案存储技术开发商Cerabyte的董事;他曾在2011年至2013年期间担任Everspin的营销副总裁。