IBM integrates Everspin MRAM technology into its 5th-generation FlashCore Modules for improved enterprise storage performance.

IBM의 5세대 FlashCore Modules (FCM5)는 전원 실패 중 데이터 손실로부터 보호하기 위해 슈퍼커패시터 대신 Everspin 자기저항 RAM (MRAM)을 사용합니다. FCM5 드라이브는 하드웨어 압축, 중복 제거, 다이 스트라이핑 및 사이버 공격 탐지를 특징으로 하는 컴퓨팅형 SSD입니다. 이들은 QLC (4비트/셀) NAND와 SLC (1비트/셀) 들어오는 쓰기 영역을 사용하며, 5가지 원시 용량 포인트(6.6, 12.2, 26.4, 52.8, 105.6 TB)로 제공되며, 최대 유효 압축 용량은 각각 19.8, 36.6, 79.2, 158.4, 316.8 TB입니다.

MRAM은 전하 수준이 아닌 자기 터널 접합에서 비트를 저장합니다. NAND 플래시와 달리 MRAM은 비휘발성이며 나노초 단위로 측정된 DRAM급 접근 속도를 제공하고 바이트 주소 지정이 가능하며 매우 높은 내구성을 특징으로 합니다. 9월 San Jose에서 열린 SNIA Developer Conference에서 Everspin 펠로우 Steffen Hellmold는 데이터 스토리지에서 MRAM의 응용 분야를 발표했으며, 소규모 쓰기 애플리케이션을 위한 이상적인 쓰기 버퍼 및 캐시로의 사용을 강조했습니다. 프레젠테이션은 IBM의 FCM5 드라이브에서 MRAM이 이 기능을 어떻게 수행하는지 보여주었습니다.

MRAM이 전원 손실 중에도 데이터를 유지하기 때문에 IBM은 전원 실패 중 슈퍼커패시터가 해당 데이터를 NAND에 쓰도록 의존하는 대신 MRAM에 쓰기 일관성 메타데이터를 저장할 수 있습니다. 이 접근 방식은 이전에 슈퍼커패시터가 차지했던 물리적 공간의 필요성을 제거하여 IBM이 FCM5 보드에 추가 NAND 칩을 배치하고 전체 용량을 증가시킬 수 있게 합니다.

이러한 통합의 증거는 IBM FlashCore Module (FCM) Product Guide Redbook의 21페이지에 나타나며, AMD 프로세서 칩 위의 오른쪽 상단에 위치한 Everspin 칩을 보여주는 보드 그림을 포함합니다. IBM은 몇 년 동안 FlashCore Modules 내부에서 수백 메가바이트의 Everspin MRAM을 소규모 비휘발성 쓰기 캐시 및 저널로 사용해 왔습니다. 2024년 4월, Everspin은 IBM이 FlashCore Module 4 드라이브에서 전원 손실 데이터 보호를 위해 PERSYST EMD4E001G 1 Gb STT-MRAM 칩을 선택했다고 발표했습니다. 이전 FCM3 세대는 이 목적을 위해 최대 128 MB의 Toggle MRAM을 사용했습니다.

Everspin은 2,000명 이상의 고객에게 MRAM을 공급하고 있으며 생산 20년 동안 2억 개 이상의 칩을 출하했습니다. Dell과 LSI/Avago는 일부 RAID 컨트롤러에서 Everspin MRAM을 사용하는 회사 중 일부입니다. Steffen Hellmold는 Everspin의 펠로우이자 고급 아카이브 기술 개발사인 Cerabyte의 이사입니다. 그는 2011년부터 2013년까지 Everspin의 마케팅 부사장으로 근무했습니다.