海力士（SK hynix）正式破土动工位于印第安纳州的40亿美元高带宽内存晶圆厂。

韩国芯片制造商SK海力士于8月28日在印第安纳州动工建设一座价值超过40亿美元的先进封装工厂，确立了其在美国的首个下一代高带宽内存（HBM）生产基地。该公司周五宣布，奠基仪式于周四在印第安纳州韦斯特拉法叶的普渡大学霍洛威体育馆举行。

先进封装是一种半导体后端工艺，通过将多个芯片组合成一个封装体或垂直堆叠来提升性能，因为传统芯片微型化正逐渐接近物理极限。新工厂将专门专注于人工智能内存的先进封装。

出席仪式的有印第安纳州州长迈克·布劳恩、美国参议员托德·扬、普渡大学校长米奇·丹尼尔斯以及韩美联盟基金会主席罗伯特·艾布拉姆斯。此外，韩国驻美国大使姜京华、SK集团副董事长禹正俊和李亨熙，以及SK海力士首席执行官郭鲁镇也出席了活动。

SK海力士计划到2028年10月完成工厂洁净室的建设，并于2029年下半年开始量产下一代HBM产品。全面投产后，该设施预计将成为一个拥有约1,000名员工的主要美国HBM生产枢纽。它将成为该公司在美国的第一个HBM制造基地，并与SK海力士在韩国现有的设施紧密整合运营。

根据规划的工作流程，在韩国生产的先进晶圆将被运往印第安纳州进行先进封装和测试。由此产生的“美国制造”HBM产品随后将供应给美国客户。SK海力士表示，此次投资有望加强美国半导体供应链，同时促进国家安全和经济增长。

据该公司称，已有超过100家材料、零部件和设备供应商考虑在西拉法叶地区扩大业务。工厂的建设与运营，加上美国合作伙伴公司的活动，预计将创造约7,000个直接与间接就业岗位。

与此同时，SK海力士与普渡大学签署了关于先进封装研发合作的谅解备忘录。双方计划共同研究下一代系统集成和先进封装技术，包括用于HBM的技术。此外，SK海力士还计划扩大与美国中西部各大学和科研机构的合作，以培训和招聘高技能工人。

郭鲁镇表示：“今天标志着美国和SK海力士共同构建的人工智能新时代的开始。”他将美国描述为人工智能创新的中心，汇聚了领先客户、研究能力和强大的产业生态系统。“印第安纳工厂将成为首个提供‘美国制造’HBM的基地，”郭鲁镇说，“我们将扩大在美国的投资与合作，共同成长，成为构建美国人工智能未来的最值得信赖的合作伙伴。”

-- 由Asia Today报道；UPI翻译

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原始韩语报道：https://www.asiatoday.co.kr/kn/view.php?key=20260828010009653