Samsung 同意采用台积电 3nm 为 NVIDIA NVHBM 制造基础 Die，三家 HBM 供应商首次统一代工平台

据首尔经济日报 10 月 18 日报道，TrendForce 19 日确认：Nvidia 要求三家 NVHBM 供应商（Samsung、SK Hynix、Micron）均采用台积电 3nm 工艺制造 HBM 基础逻辑 Die，以实现跨厂商性能标准化；台积电 3nm 良率据报超过 90%，而 Samsung Foundry 自身 2nm 良率约 60%，性能一致性差距推动了这一决策。NVHBM 基于 HBM4E 设计，较标准 HBM4E 提供最高 30% 更高内存带宽、15% 更低功耗；Samsung 同时将自家 2nm 工艺作为台积电产能受限时的备选，台积电台南第二座 3nm 厂预计 2028 年上半年投产。这是 Samsung 与台积电首次在同一产品中联合制造，尽管双方在晶圆代工市场上激烈竞争。（英文原标题：*NVIDIA Reportedly Pushes TSMC 3nm NVHBM Base Dies for Samsung, SK hynix, Micron*） 点评：Samsung 为拿下 Nvidia 订单宁可将关键工序外包给最大竞争对手，这一事实本身就说明 Nvidia 的供应链主导权已升级为可以改写竞争格局的结构性权力，台积电借此进一步锁定 AI 内存的先进逻辑工艺定义权。

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